人工微结构和介观物理国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag)， 制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si， 观测到了可见区的电致发光。 发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度， 还明显地移动电致发光的峰位。 Ag含量越高， 颗粒越大， 发光峰位越红移。 氧化硅中的发光中心与纳米Ag 间的电磁相互作用， 可用来定性解释这一实验结果。 这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。
电致发光 Ag 纳米颗粒 局域表面等离激元 Electroluminescence Ag nanocrystal Surface plasmon 光谱学与光谱分析
2011, 31(9): 2324
平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题.光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.自70年代中期,人们就开始研制平面型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的光弹效应波导器件.然而由于不易控制引入半导体内的应力场分布,尤其是引入应力场分布的热稳定性差,因而这种平面型波导器件的制作技术没有得到广泛地使用.最近发现利用金属与半导体间的界面反应,或者样品在直流负偏压作用下射频溅射倔强系数大的金属薄膜于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面,使金属薄膜下的半导体内形成稳定的应力场分布.本文从理论上详细地研究了不同宽度WNi薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布及光弹波导结构的形成.同时从实验上证实了WNi薄膜形成的光弹波导结构对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好的限制作用.……
1 北京大学物理系
2 北京有色金属与稀土应用研究所
本文分析了半导体激光器输出光功率与镜面反射率的关系,数值计算结果表明镀制介质腔控制正反镜面反射率可以得到最佳输出光功率.此外,分析表明减少腔内损耗,减薄有源层厚度和缩小条宽对输出功率都有显著的增加.
