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对于工作电压为5 V的集成电路, 低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求, 但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应。为解决闩锁问题, 对传统LVTSCR进行了改进, 通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层, 使器件触发后的电流流通路径发生改变, 降低了衬底内积累的空穴数量, 从而抑制了LVTSCR的电导调制效应, 增加了维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明, 在不增加额外面积的条件下, 改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V, 能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生。
低压触发可控硅 静电放电 高维持电压 埋层 LVTSCR ESD high holding voltage buried layer
