通过将Liq（8-hydroxyquinolinato-lithium）掺入电子传输层Alq（tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum）中，制备了具有不同结构的仅传输电子的单载流子器件。实验结果表明，掺杂器件的电性能劣于含Liq/Al复合阴极的非掺杂器件，优于含Al阴极的非掺杂器件，这表明掺入Alq的Liq没有产生明显的“n型掺杂”效应，其具有双重作用：掺杂后分散在Alq/Al阴极界面上的Liq以电子注入层的形式出现，通过增强电子注入来提高器件电流；掺杂后存在于Alq体相中的Liq由于自身的导电性差，对电子传输具有不利影响，从而降低了器件的电流。在电致发光器件的测试中，Liq的掺杂表现出类似的现象，掺入Liq的器件性能介于非掺杂具有Liq/Al阴极和Al阴极结构器件之间，三种器件的最大电流效率分别为3.96，4.27和2.27 cd/A，并且在吸收光谱和光致发光光谱中观察不到电荷转移所带来的额外变化。

以联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl, DPVBi)和红荧烯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene, Rubrene)分别为蓝色、橙色发射体, 通过超薄插入的方法在DPVBi中插入一层Rubrene制备了结构简单的非掺杂型蓝色、橙色混合有机电致发光器件(OLED)。结果表明, 器件电压对色度的影响规律随插入位置不同而变。当器件发光中以蓝色为主或以橙色为主时器件色坐标随电压的变化较小, 而当器件中蓝色和橙色发射成分较为均衡时色坐标随电压的变化较大。其原因可归于电压对蓝色和橙色发射具有不同的影响。

以典型发光材料——联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl,DPVBi)和红荧烯(5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene,Rubrene)分别为蓝色、橙色发射体, 通过在DPVBi中插入一层超薄Rubrene制备了结构简单的非掺杂型白色有机电致发光器件, 得到了低压启动、效率和色度俱佳的白色发光器件。器件启亮电压为3.1 V, 最高电流效率为6.7 cd/A(流明效率5.5 lm/W或外量子效率2.8％), 器件色坐标达到理想的白平衡点(0.33,0.33)。理想白光的获得归因于通过调整NPB/DPVBi界面到Rubrene的距离, 实现了从DPVBi到Rubrene能量传递的最佳比例。

以典型蓝色发光材料—联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl, DPVBi)为发光层，采用MoO3为阳极缓冲层制备了结构简单的非掺杂型蓝色有机电致发光器件，得到了低压启动，效率、亮度和色度俱佳的蓝色发光器件。器件启亮电压为3.4V，最高外量子效率为3.2％，最高亮度达到15840cd/m2，器件色坐标为(0.15, 0.15)。高性能器件的获得归因于MoO3缓冲层的插入在阳极/有机层间形成了良好的欧姆接触。

以典型蓝色发光材料-联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)- 1,1′-biphenyl, DPVBi)为发光层，采用MoO3为阳极缓冲层制备了结构简单的非掺杂型蓝色有机电致发光器件。在电流密度为20 mA/cm2、MoO3缓冲层厚度为0.5 nm对器件效率约为无缓冲层器件效率的18倍，为通常酞菁铜(Copper phthalocyanine, CuPc)缓冲层器件效率的1.2倍。器件启亮电压为3.3 V，最高外量子效率为3.1％，最高亮度达到16 000 cd/m2，器件CIE色坐标(Commission Internationale de lEclairage co-ordinates)为(0.15, 0.15)。器件性能的提升归因于MoO3缓冲层的插入在阳极/有机层间形成了良好的欧姆接触。

采用推广的LLP方法研究了ZnSe/ZnS抛物量子阱中激子的极化子效应。考虑电子和空穴与LO声子的相互作用，得到了激子基态能量和结合能随阱宽的变化关系。结果表明，阱宽较小时，能量随着阱宽的增大而急剧减小；阱宽较大时，能量减小的比较缓慢。和我们以前的工作对比，我们发现ZnSe/ZnS抛物量子阱对激子的束缚强于GaAs/Ga1-xAlxAs抛物量子阱。

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G*的基组水平上对Mg2Bn(n=4～9)团簇的各种可能的几何构型进行优化,得到了Mg2Bn(n=4～9)团簇的最稳定结构,并对其几何结构、振动光谱、电离能、能隙、电荷布局、成键特性等性质进行了计算.结果表明:Mg2Bn(n=4～9)团簇中大部分B原子为负电性且总是处在团簇的中心,Mg原子总是处在端位上并显正电性;随着n的增大,团簇最稳定结构逐渐由平面结构向立体结构转变;n=4、8时的结构相对较稳定.

用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G*基组水平上对(LiN3)n(n=1～2)团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的振动特性、成键特性和电荷布局等性质进行了理论研究.结果表明,LiN3团簇最稳定构型为直线构型;(LiN3)n(n=1～2)团簇中N-N键长在0.1146～0.1203 nm之间,N-Li键长在0.1722～0.1987 nm之间;Li原子的自然电荷在0.708 e～0.907 e之间,N原子的自然电荷在-0.896 e～0.208 e之间.

用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G(d)的水平上对Si4N4团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了可能的17个异构体.Si4N4团簇的最稳定结构是有8个Si-N键的平面结构.用自然键轨道(NBO)方法分析了成键性质.计算结果表明.Si-N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移,因此Si-N原子问有较强的电相互作用;最强的IR和Raman谱峰分别位于1387.64cm-1和1415.05 cm-1处;并计算了Si4N4团簇的最稳定结构的极化率和超极化率.

本文讨论了平板式光子晶体能带结构的计算方法,并利用平面波展开法研究了聚苯乙烯材料制作的平板式光子晶体的能带结构与晶格类型、填充比两个主要结构参数之间的关系.计算给出了晶格类型及填充比发生变化时光子禁带的变化规律.研究发现,当填充比(r/a)介于0.1～0.5之间时,四边形晶格结构和六角形晶格结构奇模和偶模均存在光子带隙,蜂窝状晶格只有偶模存在光子带隙,而且只有当填充比r/a＞0.46时才出现光子带隙.本文所得结果对聚苯乙烯光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据.