段健健 1,*沈宏芳 1,2,3马聪聪 1孙文周 1,2,3[ ... ]陆有军 1,2,3
作者单位
摘要
1 北方民族大学材料科学与工程学院,银川 750021
2 碳基先进陶瓷制备技术国家地方联合工程研究中心,银川 750021
3 粉体材料与特种陶瓷省部共建重点实验室,银川 750021
莫来石-堇青石质匣钵对于制备高性能锂电池正极材料尤为重要。本文采用莫来石(1.18~0.6 mm)和堇青石(2~1 mm)为骨料,莫来石(0.074 mm)、煅烧氧化铝(0.044 mm)、佛山黄泥(0.044 mm)和煤矸石(0.044 mm)为基质,在1 380 ℃下保温3 h烧结制备锂电池正极材料LiNixCoyMnzO2(LNCM)承烧用莫来石-堇青石匣钵,并采用埋覆侵蚀法探究了正极材料在烧结过程中对匣钵的侵蚀行为。结果表明: 在1 380 ℃下保温3 h烧结制备的匣钵力学性能和抗热震性均较好,其室温抗折强度为10.02 MPa,经3次热震循环后残余强度保持率在51.52%~53.26%; 适当增加粗颗粒(1.18~0.6 mm)莫来石的含量可有效提高莫来石-堇青石匣钵的抗侵蚀性,且经侵蚀25次后匣钵表面的最大反应层厚度为447 μm,最小反应层厚度为211 μm。
莫来石 堇青石 匣钵 抗侵蚀性 侵蚀机理 抗热震性 反应层 mullite cordierite sagger corrosion resistance corrosion mechanism thermal shock resistance reaction layer 
硅酸盐通报
2023, 42(10): 3769
作者单位
摘要
1 北方民族大学材料科学与工程学院, 银川 750021
2 碳基先进陶瓷制备技术国家地方联合工程研究中心, 银川 750021
3 粉体材料与特种陶瓷省部共建重点实验室, 银川 750021
生物质炭是指原料在部分缺氧或绝氧的条件通过特殊方法处理后产生的高度芳香化、高碳和高稳定性的固体产物。同一植物不同部位制备的生物质炭的性能往往具有较大差异, 本论文以胡麻为研究对象, 以KOH、H3PO4为活化剂, 对胡麻不同部位(杆、皮、根)进行活化, 采用水热炭化法、活化法、炭化-活化法制备生物质炭材料, 将产物用于吸附溶液中的罗丹明B(RhB)和亚甲基蓝(MB), 进一步评价其吸附活性。利用XRD、SEM、TG-DSC、N2-BET、UV-Vis等对产物的性能进行分析, 探究炭化温度、活化温度以及活化剂种类对生物质炭性能的影响。比较不同条件下制备生物质炭材料的微观形貌、比表面积、孔径以及产率。以胡麻杆为原材料, 磷酸为活化剂, 炭化温度200 ℃, 活化温度820 ℃时, 制备的生物质炭孔径分布均匀、数量较多、断面呈管状, 且其表面积最高, 可达1 247.63 m2/g。该产物对RhB和MB都表现出了良好的吸附能力, 在接近1 h时, 10 mg/L的RhB溶液就已经全部褪色, 吸附率高达100%。
胡麻杆 生物质炭 活化剂 吸附 炭化温度 磷酸 炭化-活化法 hemp stem biochar activator adsorption carbonization temperature phosphoric acid carbonization-activation method 
硅酸盐通报
2022, 41(4): 1464
黄发彬 1,2,*杭凌侠 1,2龚勋 1,2张笑 1,2
作者单位
摘要
1 西安工业大学, 西安 710021
2 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室, 西安 710021
介绍了利用傅里叶变化法设计多波段渐变减反膜的原理和方法, 研究了采用该方法设计多波段减反膜时Q函数的优选流程, 给出了最优Q函数。设计优化得到了在350~5000nm波段范围平均透过率大于90%的多层渐变减反膜系结构, 并采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术完成了样片的制备。实验结果表明, 镀制的样片在350~5000nm波段范围的平均透过率为90.55%, 满足光谱特性的要求。
渐变折射率 多波段 减反膜 PECVD PECVD gradient refractive index multi-band antireflection films 
光学技术
2016, 42(3): 248
作者单位
摘要
华中科技大学电子科学与技术系, 湖北 武汉 430074
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400~800 nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4 Ω·cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4 Ω·cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。
薄膜 ZnO∶Al薄膜 射频磁控溅射 衬底材料 聚酰亚胺衬底 
激光与光电子学进展
2012, 49(4): 043102
作者单位
摘要
1 华中科技大学 电子科学与技术系,湖北 武汉 430074
2 江西蓝天学院 电子信息工程系,江西 南昌 330098
阐述了当前硅量子点(QDs)太阳电池的发展概况。介绍了量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象,分析了硅量子点太阳电池设计理论。同时介绍了硅量子点当前几种制作工艺,详细阐述了硅量子点从富硅层中析出工艺。最后,介绍了硅量子点太阳电池的几种结构形式,如叠层结构、PN结构和中间带隙结构。
光电子学 硅量子点 碰撞电离 电子空穴对倍增 太阳电池结构 
激光与光电子学进展
2010, 47(8): 082501

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