1 燕山大学信息科学与工程学院，河北省特种光纤与光纤传感实验室，秦皇岛 066004
2 秦皇岛本征晶体科技有限公司，秦皇岛 066000
3 江苏布拉维光学科技有限公司，张家港 215600
4 燕山大学环境与化学工程学院，河北省应用化学重点实验室，秦皇岛 066004
采用坩埚下降法，生长了体积为4 L的大尺寸NaI(Tl)晶体。对晶体进行X射线粉末衍射、紫外可见近红外透射光谱测试，结果表明，生长的晶体具有单一的物相，在600~1 600 nm的透过率高于75%。电感耦合等离子体发射光谱测试结果表明，晶体中的Tl离子浓度从头部到尾部逐渐增加。经过锻压、切割、打磨、抛光、封装等工序将NaI(Tl)晶体毛坯制成100 mm×50 mm×400 mm的方形晶体。闪烁性能测试结果表明，在137Cs放射源激发下，晶体的平均能量分辨率为7.9%，不同位置的相对光输出和能量分辨率存在一定差异。
碘化钠 闪烁晶体 坩埚下降法 晶体生长 透过率 能量分辨率 相对光输出 NaI scintillator crystal Bridgman method crystal growth transmittance energy resolution relative light output
燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感实验室, 河北 秦皇岛 066004
利用不同粒径的SiO2纳米微球在聚乙烯基板上提拉自组装,形成了不同粒径微球排布的结构色薄膜。随后,在结构色薄膜中加入掺有稀土铝酸锶长余辉材料的光固化环氧树脂,利用掩模法形成长余辉图案,并使用氢氧化钠溶液对薄膜进行蚀刻,制备了具有高稳定性的长余辉和结构色的复合防伪薄膜。结果表明:利用表层光子晶体结构的光子带隙匹配底部图案的荧光波段,并通过刮擦、润湿等简单方法,即可实现底部荧光图案的显示;通过乙醇擦拭,表层结构能够快速恢复,再度实现荧光图案的隐藏,该方法可以使得防伪标签能够通过可重写方式进行反复使用。此外,腐蚀和弯曲测试表明,所制备薄膜具有很强的鲁棒性。
材料 结构色 防伪薄膜 长余辉材料 环氧树脂 可重写薄膜 光学学报
2022, 42(10): 1016002
燕山大学信息科学与工程学院，河北省特种光纤与光纤传感重点实验室，河北 秦皇岛 066004
对铈铁掺杂铌酸锂(Ce:Fe:LiNbO3)晶体进行氧化、还原处理。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱测试了晶体样品的组成和缺陷结构。采用透射光斑畸变法测试了晶体样品的抗光损伤能力，结果表明：生长态晶体比还原态晶体的抗光致散射能力基本上高一个数量级，氧化态的晶体要比还原态的晶体高两个数量级。采用二波耦合实验测试了晶体样品的光折变性能，结果表明：从氧化到生长再到还原态，衍射效率逐渐降低，响应时间缩短，光折变灵敏度增加，动态范围逐渐降低。
氧化还原 光谱 抗光散射 光折变性能 Ce:Fe:LiNbO3 Ce:Fe:LiNbO3 crystal oxidation and reduction spectrum photo-damage resistance ability photorefractive properties 红外与激光工程
2015, 44(12): 3718
燕山大学信息科学与工程学院，河北省特种光纤与光纤传感重点实验室, 河北 秦皇岛 066004
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了纯InI超胞模型以及两种不同Pb 掺杂量的In1-xPbxI(x=0.125,0.25)超胞模型，结构优化后，计算了掺杂前后体系的能带结构、态密度和吸收光谱。几何结构的计算结果表明，随着Pb掺杂量的增加，掺杂体系晶格常数改变，体积减小，能量降低，结构更加稳定。电子结构的计算结果表明，掺杂后费米能级进入导带，掺杂体系均为高掺杂。同时，掺杂体系的最小光学带隙增大，电子有效质量减小，电导率增大。光学性质的计算结果表明，掺杂后吸收光谱蓝移，证明了Pb 掺杂使InI 最小光学带隙增大。所得结果为掺杂改善InI材料光电特性的实验研究提供理论指导。
材料 第一性原理 光学带隙 光学学报
2015, 35(12): 1216001
燕山大学 信息科学与工程学院 光电子工程系,秦皇岛 066004
为了研究近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体的非挥发全息存储固定,测试了晶体的光谱特性,发现近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体较同成分Ce:Fe:LiNbO3晶体的红外透射谱变窄,峰值位于3466cm-1处;而紫外光谱发生紫移。并采用单、双光子存储方法进行了理论分析和实验验证。结果表明,单光子照射实验中,用汞灯预照晶体比不用汞灯预照的衍射效率要高;而双光子存储的性能参量明显优于单光子存储的性能参量。
非线性光学 非挥发全息存储 光谱分析 二波耦合 nonlinear optics nonvolatile holographic storage spectrum analysis two-wave coupling
1 哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨,150001
2 哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
在 LiNbO3中掺进In2O3和Nd2O3,以Czochralski技术生长了In∶ Nd∶ LiNO3晶体.通过光斑畸变法测得In∶ Nd∶ LiNbO3晶体的光损伤阈值为1.98×104 W/cm2,比Nd∶ LiNbO3晶体的1.6×102 W/cm2高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明,In:Nd:LiNbO3晶体的吸收边相对Nd∶ LiNbO3晶体发生紫移.研究了In∶ Nd∶ LiNbO3晶体的倍频性能,结果表明,In∶ Nd∶ LiNbO3晶体的相位匹配温度在室温附近,倍频转换效率比Nd∶ LiNbO3晶体提高二倍.
In:Nd:LiNbO3晶体 Czochralski技术 光损伤阈值 倍频性能 In∶Nd∶LiNbO_3 Czochralski method Photo damage threshold Double-frequency
