1 浙江理工大学物理系, 浙江省光场调控技术重点实验室, 杭州 310018
2 浙江大学杭州国际科创中心, 杭州 311200
3 浙江大学材料科学与工程学院, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
4H碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性, 在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。经过多年的发展, 6英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC单晶衬底和同质外延薄膜已得到了产业化应用。然而, 4H-SiC单晶中的总位错密度仍高达103~104 cm-2, 阻碍了4H-SiC单晶潜力的充分发挥。本文介绍了4H-SiC单晶中位错的主要类型, 重点讲述4H-SiC单晶生长、衬底晶圆加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机理, 并概述4H-SiC单晶中位错的表征方法, 最后讲述了位错对4H-SiC单晶衬底和外延薄膜的性质, 以及4H-SiC基功率器件性质的影响。
4H碳化硅 位错 单晶 外延 电学性质 光学性质 4H silicon carbide dislocation single crystal epitaxy film electrical property optical property 人工晶体学报
2022, 51(9-10): 1673
1 浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院，杭州 310027
2 浙江大学杭州国际科创中心，杭州 311200
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段，应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同，湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域，并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。
碳化硅 湿法腐蚀 电化学腐蚀 化学腐蚀 晶体缺陷 晶体表面 silicon carbide wet etching electrochemical etching chemical etching crystal defect crystal surface
1 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室，天津 300072
2 中国电子科技集团公司第五十三研究所，天津 300300
3 南开大学计算机学院，天津 300071
针对图像中某几类物体具有相似颜色特征而导致的分类困难问题，本文提出了一种具有隐蔽色特征物体的图像分类方法。该方法针对可见光图像中具有颜色隐蔽性物体而难以区分的问题，通过将二维图像的邻域像素空间特征与高光谱图像的谱段特征相结合并使用改进的局部线性嵌入降维算法实现了空谱联合的特征降维，最终利用主动学习胶囊网络训练高光谱数据分类器从而实现场景内目标的分类。通过改进的主动学习函数可以对更具代表性的样本进行标注，实现了利用小样本集对胶囊网络的训练，有效降低了样本的标注成本和模型的训练成本，提高了模型分类性能。实验表明，该算法运行在自建高光谱数据集上能够有效地分类隐蔽色特征物体和其他自然场景，针对隐蔽色目标的平均准确率达到了 91%，针对所有类别物体的平均准确率达到了 89.9%。
高光谱图像分类 隐蔽色 胶囊网络 主动学习 特征构造与降维 hyperspectral image classification, camouflaged co
