同名作者【李国帅】论文列表 -- 中国光学期刊网

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作者单位

摘要

¹ Key Laboratory of Polar Materials and Devices, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai20024, China

² National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai00083, China

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭示了

S n_{Z n}

相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素，其中高浓度的中性缺陷簇[

2 C u_{Z n} + S n_{Z n}

]能导致带隙明显窄化，而离子性缺陷簇[

C u_{Z n} + S n_{Z n}

]是主要的深施主缺陷态，同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下，适当减少锡含量，可有效抑制与

S n_{Z n}

相关的缺陷簇，并避免带隙的窄化。

红外与毫米波学报

2020, 39(1): 92

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