作者单位
摘要
1 南开大学 物理科学学院, 天津 300071
2 吉林建筑大学 电气与计算机学院, 长春 130118
3 吉林建筑大学材料科学与工程学院, 长春 130118
4 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所, 天津 300071
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对光伏材料Cu2ZnSnS4 (CZTS)掺Mg进行了研究。通过建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的点缺陷结构, 计算Mg掺杂缺陷的生成能及对CZTS电子结构的影响。计算结果表明掺Mg不引入深能级缺陷也不改变材料的禁带宽度; 并且富Sn条件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷, 使p型转变为n型。本研究可为CZTS太阳能电池掺Mg的应用研究提供理论基础。
Cu2ZnSnS4 铜锌锡硫  第一性原理 太阳电池 kesterite CZTS Mg first-principle solar cell 
无机材料学报
2020, 35(11): 1290
作者单位
摘要
1 Key Laboratory of Polar Materials and Devices, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai20024, China
2 National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai00083, China
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。
禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征 铜锌锡硫 bandgap semiconductor defects spectroscopy characterization Cu2ZnSnS4 
红外与毫米波学报
2020, 39(1): 92
作者单位
摘要
中国农业大学理学院应用物理系, 北京 100083
低成本、 环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒, 是薄膜太阳能电池的最佳选择。 电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。 一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn(CZT)合金于FTO衬底上。 采用氩气保护气氛下在550 ℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体, 成功制备了CZTS薄膜。 采用三电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上, 其中FTO作为工作电极, 铂(Pt)网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。 电解质由CuSO4, ZnSO4, SnSO4, 络合剂-三乙醇胺(TEA)和柠檬酸钠组成。 前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。 采用X射线衍射(XRD)、 拉曼光谱、 扫描电子显微镜(SEM)、 紫外可见光光谱仪和光电化学测量(PEC)等方法, 表征了CZTS薄膜的结构、 形貌、 成分和光谱学性质。 XRD和拉曼光谱证明了550 ℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。 一个Raman主峰位于342 cm-1, 两个Raman次强峰分别位于289和370 cm-1, 这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。 SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比, CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn)和 S/(Zn+Sn+Cu)分别为052和101, 这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。 PEC结果证实, 采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流, 并且两种照射下产生的光电流方向一致。 通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为145 eV。 通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质, 可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。
铜锌锡硫 薄膜 光谱表征 电镀法 硫化 Cu2ZnSnS4 Thin films Spectral characterization Electrodeposition Sulfurization 
光谱学与光谱分析
2019, 39(9): 2940
作者单位
摘要
云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 云南 昆明 650500
利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜, 并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明, 当退火温度为400 ℃时, CZTS薄膜中含有Cu2S及SnS等多种二次相; 随着退火温度的升高, 二次相的种类逐渐减少, 当退火温度为550 ℃时, 薄膜的表面平整致密, 二次相种类最少; 然而, 当退火温度为600 ℃时, 薄膜表面变得粗糙, 二次相种类增多。
激光技术 铜锌锡硫 二元硫化物靶 磁控溅射 退火 
激光与光电子学进展
2017, 54(9): 091601
作者单位
摘要
吉林师范大学 功能材料物理与化学教育部重点实验室,四平 136000
以金属氯化物作为金属源,硫脲为硫源,乙二醇为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,采用溶剂热法在较低反应温度下合成了Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的结构和形貌进行表征。利用紫外-可见光谱(UV-Vis)对样品的光学性能进行研究。结果表明,180 ℃反应25小时的样品均为锌黄锡矿CZTS颗粒,颗粒形貌为表面花状的微球。当体系中PVP含量为0.2 g时,微球尺寸约为2.5 μm。当体系中PVP含量为03 g,0.4 g,0.5 g时,微球尺寸大约为1.1 μm。其中,PVP含量为0.4 g的样品分散性较好,在可见区有明显的吸收,用外延法得到其禁带宽度约为1.45 eV,与太阳能电池所需的最佳禁带宽度接近。
溶剂热 光学性能 solvothermal Cu2ZnSnS4 Cu2ZnSnS4 optical properties 
光散射学报
2016, 28(4): 364
作者单位
摘要
华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7μm左右.透射光谱表明随后退火温度的提高薄膜的光学带隙从2.13eV减小到1.52eV.
溶胶-凝胶 铜锌锡硫 薄膜 前驱体 预退火 后退火 组分 sol-gel Cu2ZnSnS4(CZTS) film precursor pre-anneal post-anneal composition 
红外与毫米波学报
2015, 34(2): 129

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!