江平 1,2张静 1,2,3褚涛 1,2李政权 2[ ... ]郭亚雄 3
作者单位
摘要
1 中国振华集团新云电子元器件有限责任公司,贵州 贵阳 550025
2 贵州振华红云电子有限公司, 贵州 贵阳 550025
3 贵州大学 材料与冶金学院, 贵州 贵阳 550025
采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.09Ti0.91-2xSnxGex)O3(x为质量比)无铅压电陶瓷中, 研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明, Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构, 没有明显的第二相产生, 但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加, 其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时, 该体系的居里温度最高(为122 ℃)。
无铅压电陶瓷 锆钛酸钙钡(BCZT) 微观结构 电性能 lead-free piezoelectric ceramics barium calcium zirconium titanate(BCZT) microstructure electrical property 
压电与声光
2022, 44(4): 513

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