采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.09Ti0.91-2xSnxGex)O3(x为质量比)无铅压电陶瓷中, 研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明, Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构, 没有明显的第二相产生, 但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加, 其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时, 该体系的居里温度最高(为122 ℃)。

以Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr0.41Ti0.59)O3(PNN-PZT)为基础体系, 通过对烧结助剂x%CuO(质量比)和y%LiBiO2(质量比)的质量进行调节, 对陶瓷样品的相结构、微观组织形貌及电学性能进行了分析, 阐述了助烧剂对陶瓷样品性能的影响。结果发现, 在温度940~960 ℃下陶瓷烧结成瓷, 且晶粒长大较充分。当x =0.2, y =1时, 陶瓷样品的电学性能最优, 即此时压电常数d33 =608 pC/N, 机电耦合系数kp=0.65, 介电损耗tan δ =2.19%, 介电常数εr=3 843。采用烧结助剂质量比x=0.2,y=1的粉体制备7 mm×7 mm×36 mm的叠层压电驱动器, 然后进行微观组织形貌和位移特性研究。叠层压电驱动器断面微观结构表明, 电极层与陶瓷层粘接紧密, 无裂缝或间隙产生。位移的测试结果表明, 随着电压的增加, 位移也在逐渐增加, 在驱动电压为150 V时, 其最大位移为46.280 μm, 位移增大的同时, 迟滞逐渐降低。

实验中首次观察到了吸附于银胶体颗粒表面的邻菲啰啉(O-phenanthroline)和2,2’-联吡啶(2,2’-bipyridine)分子及其亚铁铬离子的表面增强喇曼光谱(SERS),为吡啶SER谱中200cm~(-1)处喇曼峰是N—Ag键振动的观点提供了实验依据.对加入亚铁离子前后的SER谱进行了比较,结合其他实验结果(电镜照片、透射光谱)对所发现的实验现象进行了分析和解释.

目前已经产生并检测短到0.5×10^-12秒的亚微微秒激光脉冲，而且已预言可能产生短脉冲的极限为50×10^-15秒。但是没有说出关于规定这个极限的基本物理理由是什么，我们工作的目的是理解制约产生超短光子脉冲以及其它的极短持续时间物理场的脉冲的一般机制。