梁涛 1,2肖添 1,2刘勇 1,2裴颍 1,2[ ... ]冉卫 2
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
2 重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 400000
瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件, 其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中, 圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响, 非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查, 确认异常原因为表面掺杂浓度过高, 并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析, 并通过实验得到验证。
瞬态电压抑制器 表面浓度 掺杂 TVS surface concentration doping 
微电子学
2023, 53(3): 512
作者单位
摘要
1 南昌大学信息工程学院电子信息工程系,江西 南昌 330031
2 南昌大学未来技术学院,江西 南昌 330031
提出了一种基于光子-超导量子比特-声子三体复合量子系统相互作用的方案,具体由微波腔和微机械谐振器共同耦合一个超导电荷量子比特构成。基于抽运-探测方法,利用量子朗之万演化方程获得系统一阶线性极化率,研究了超导量子比特耦合微波腔和机械谐振器系统的吸收特性。结果表明,利用双场探测手段,根据信号场的吸收谱中双峰之间的宽度可以精确地测量量子比特与微波腔之间的耦合强度。同时,根据吸收峰和增益峰的位置,实现了振动频率的精确测量。本文提出的测量新方案对精密测量、量子计算以及量子信息处理等领域具有重要的意义。
量子光学 电路量子电动力学 微机械谐振器 探测场吸收特性 
激光与光电子学进展
2022, 59(3): 0327001
刘勇 1,2刘建 1张培健 2,3王飞 1,2肖添 1,2
作者单位
摘要
1 重庆中科渝芯电子有限公司,重庆 400000
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
3 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060
在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响。通过对上方第二层铝开槽可使β值回升。在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复正常,而其他尺寸的NPN、PNP管的β均有不同程度上升。应用能带理论分析了应力对双极晶体管β的影响机制。结果表明,体硅(100)晶面内的应力对纵向NPN和纵向PNP管的β均有很大影响,并通过实验得到了验证。
双极晶体管 电流放大系数 应力 应变 能带 bipolar transistor common-emitter current gain stress strain energy band 
微电子学
2021, 51(3): 399

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!