作者单位
摘要
1 山东师范大学物理系,山东,济南,250014
2 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080
近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.
光电子学 量子阱态 近自由电子模型 相位积累模型 电子干涉模型 光电子谱 optoelectronics quantum well states nearly free electron model phase accumulation model electron interferometer model photoemission spectroscopy 
量子电子学报
2004, 21(4): 532

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