1 中南大学 先进材料超微结构与超快过程研究所, 湖南 长沙410083
2 Department of Physics and Astronomy, University of Rochester, Rochester, NY14627, USA
结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状MoS2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在MoS2上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度,引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。
光电子能谱 能级匹配 分子取向 薄膜生长 photoemission spectroscopy (PES) C8-BTBT C8-BTBT energy level alignment molecular orientation film growth
中国科学技术大学国家同步辐射实验室， 安徽 合肥 230029
国家同步辐射实验室新建了覆盖5~40 eV的低能区高分辨率角分辨光电子能谱光束线。其球面光栅单色仪包含了三块光栅，即300，600和1200 line/mm球面层式（Laminar）光栅。采用全息离子束刻蚀工艺，在硅光栅基片上成功地刻蚀出1200 line/mm、占空比0.35、槽深35 nm、有效刻划面积大于120 mm×20 mm的Laminar光栅。在角分辨光电子能谱光束线完成调试的同时，进行了初步的光谱标定及性能测试。波长的刻度和光谱测试直接采用波荡器辐射作为光源，用已知气体的吸收峰做标准来进行标定。测量结果表明：1200 line/mm光栅测量Ar的吸收谱，在29.2 eV附近可得到2.6 meV的能量分辨，分辨本领约为11000，满足了光束线设计要求。
衍射光栅 全息光刻 离子束刻蚀 角分辨光电子能谱 光学学报
2011, 31(10): 1005008
1 山东师范大学物理系,山东,济南,250014
2 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080
近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.
光电子学 量子阱态 近自由电子模型 相位积累模型 电子干涉模型 光电子谱 optoelectronics quantum well states nearly free electron model phase accumulation model electron interferometer model photoemission spectroscopy
