作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
采用分子束外延技术(MBE)制备了碲化镉(CdTe)原位钝化的中波碲镉汞(HgCdTe)材料。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1~2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。
碲化镉 原位钝化 原子力显微镜 扫描电子显微镜 电压电流特性 CdTe in-suit passivation atomic force microscopy(AFM) scanning electron microscopy(SEM) I-V characteristics 
红外与毫米波学报
2022, 41(2): 413
作者单位
摘要
1 工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州 510610
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室, 上海 200083
甚长波红外波段富含大气湿度、CO2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息, 是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列, 采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元, 通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联, 制成截止波长达到14 μm的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60 μm×60 μm, 工作温度在50 K温度下。测试结果显示: 读出电路性能良好, 焦平面黑体响应率达到1.35×107 V/W, 峰值探测率为2.57×1010 cmHz1/2/W, 响应率非均匀性约为45%, 盲元率小于12%。
碲镉汞 甚长波 红外焦平面 读出电路 背景抑制 HgCdTe VLW IRFPA ROIC background suppression 
红外与激光工程
2017, 46(5): 0504001

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