1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析, 得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析, 结果表明: 当温度(300 K)一定时, 在电压较小的情况下, 电流密度成直线形式增大; 当电压增大到一定值时, 电流密度成对数形式增大; 当电压过大时, 电流密度几乎不增大。随着电压的升高, 器件产生焦耳热增多, 影响器件的工作特性, 最终缩短LED的寿命。综合考虑, 最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2～2.33 V。
电压电流特性 pn结 简并半导体 AlGaInP AlGaInP current-voltage relationship pn junction degenerate semiconducor
电子科技大学 光电信息学院, 四川 成都610054
对OLED器件施加扫描电压时，器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同，器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq3/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试，并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在，以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象，获得了比较满意的结果，为器件性能的进一步优化找到了方向。
有机电致发光 电压-电流特性 p型深受主能级 前向扫描 OLED voltage-current characteristic p-type deep accepter-like trap forward sweep
