通过对光无源器件的分析和测试, 掌握其的基本理论和性能参数。结合各种器件性能参数的测试方法和计算公式, 为光无源器件在生产工艺和光纤通信传输系统中的广泛应用提供参考。

报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒) 量子阱为有源区的[1.31 μm]TM偏振高速激光器。以1% 张应变的 In0.49Ga0.51As0.79P0.21作为阱层，0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层，计算了由不同势垒带隙（1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV）构成的五种多量子阱的发光特性，和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明，采用适度小的势垒带隙，既能将载流子有效限制在有源区，又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布，从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。

基于严格耦合波理论，从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1 μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出：在相同光栅高度下，虽然小周期（P=100 nm）锥形亚波长光栅的表面反射率低于大周期（P=500 nm）结构的表面反射率，但是大周期锥形亚波长光栅薄膜晶硅电池的光生载流子几率和理想光电转换效率高于小周期结构的相应值，且这种区别随着光栅高度增加而增加。在AM1.5D太阳光谱下，最优化的大周期光栅使得薄膜晶硅电池光生载流子几率和理想效率增加1.4倍和1.65倍，而最优化的小周期光栅只能分别增加0.54倍和0.48倍。