介绍了一种等面积分流小孔电火花加工方法，分析了等面积电极放电的电火花加工过程，研究了在等面积电极条件下，等面积单电极与分流多电极加工对加工速度、电极损耗、放电间隙的影响并进行了验证性试验。研究结果表明：小孔分流法加工与单电极加工相比，加工速度略有减小、放电间隙略有变小、电极损耗略有增加，加工效果具有一致性，而且分流法电火花加工有利于小孔电火花加工的尺寸控制。通过等面积分流法改变加工工艺，用电火花机床稳定加工参数进行了比机床稳定加工临界值尺寸还小的小孔加工，试验中采用单电极1 mm×1 mm(总面积为1 mm2)的稳定加工指标，进行等面积分流为3个电极0.577 mm×0.577 mm(总面积为1 mm2)的小孔加工，获得了稳定电火花加工的0.6 mm×0.6 mm小方孔，表明提出的方法是一种有效的小孔电火花加工方法。

利用毫秒脉宽Nd:YAG激光对硅片进行了弯曲试验,给出了长脉宽脉冲激光弯曲硅片的能量阈值条件.研究了长脉宽Nd:YAG激光脉冲频率和脉冲宽度参数对硅片弯曲角度的影响,同时说明了脉冲频率和脉冲宽度参数对弯曲角度的影响可以转换成扫描速度和功率密度对弯曲角度的影响,并对试验结果进行了分析,引入了脉冲占空比来表征能量的时域分布对弯曲现象的影响.试验结果表明,采用毫秒量级脉冲激光可以对硅片进行弯曲加工,弯曲角度可达20°以上.

对长脉宽脉冲激光弯曲后的硅片试件进行了表面形貌以及晶相等特性分析。结果表明,激光作用于硅片表面后形成了三种特殊区域,分别为边缘区域、过渡区域、主作用区域。其中过渡区域和主作用区域变化比较明显,分别出现了堆积层错现象和波纹状形貌。对主作用区域进行拉曼光谱检测,分析谱图没有发现典型的非晶硅转变,只是存在微弱的Si-Ⅰ→Si-Ⅲ转化。利用X射线定向仪检测原始和激光作用后表面的晶向,发现激光作用区域晶向变化较明显,存在晶体畸变和晶粒细化现象。