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研究与试制
基于肖特基势垒调控的低能耗有机突触晶体管
陈天健 陈惠鹏 
作者单位
摘要
福州大学 物理与信息工程学院，福州350108
利用n型有机半导体材料N2200掺杂在p型有机半导体材料PDVT‑10中形成捕获中心而能够表现出突触行为的特性，结合银金属作为源电极与有机半导体PDVT‑10接触形成的金属‑半导体结来引入肖特基势垒，从而使其限制有机突触器件的源漏电流，最终降低器件工作能耗。此外，器件表现出生物突触行为时的工作电流均在10-10 A量级，如兴奋性突触后电流等基础的突触行为。研究方案为构建类脑水平的神经形态计算网络提供了一种简单高效的策略。
肖特基势垒 神经形态器件 低能耗 Schottky barrier neuromorphic device low energy consumption 
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光电子技术
2023, 43(4): 305
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