利用n型有机半导体材料N2200掺杂在p型有机半导体材料PDVT‑10中形成捕获中心而能够表现出突触行为的特性，结合银金属作为源电极与有机半导体PDVT‑10接触形成的金属‑半导体结来引入肖特基势垒，从而使其限制有机突触器件的源漏电流，最终降低器件工作能耗。此外，器件表现出生物突触行为时的工作电流均在10^-10 A量级，如兴奋性突触后电流等基础的突触行为。研究方案为构建类脑水平的神经形态计算网络提供了一种简单高效的策略。

高速垂直腔面发射激光器（VCSEL）是高速光通信的主要光源之一，受数据流量的迅速增长牵引，高速VCSEL正向更大带宽、更高速率方向发展。长春光机所团队通过优化VCSEL外延设计和生长、器件设计和制备、以及性能表征技术，在多个波长的高速VCSEL的调制带宽、传输速率、模式、功耗等性能方面取得了显著进展。实现高速单模940 nm VCSEL 27.65 GHz调制带宽和53 Gbit/s传输速率；通过波分复用基于850 nm、880 nm、910 nm和940 nm高速VCSEL实现200 Gbit/s链路方案；通过光子寿命优化，实现高速VCSEL低至100 fJ/bit的超低能耗；实现1030 nm高速VCSEL 25 GHz调制带宽；实现1550 nm 高速VCSEL 37 Gbit/s传输速率。研制的高速VCSEL在光通信等领域有重要应用前景。