1 装备智能控制福建省高校重点实验室, 福建 三明 365004
2 三明学院 机电工程学院, 福建 三明 365004
采用射频磁控溅射和退火处理方法在普通玻璃基底上制备了N、Al共掺的ZnO薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、四探针电阻测试仪和紫外-可见光光谱及X射线光电子能谱(XPS)等测试手段, 分析了溅射功率对薄膜表面形貌结构及光电性能的影响。研究结果表明: 不同溅射功率下所制备的薄膜均为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构, 在可见光范围内, 平均透过率都超过了85%; 在溅射功率为140W条件下, N、Al共掺的ZnO薄膜显示出p型导电特性。
ZnO薄膜 射频磁控溅射 退火处理 溅射功率 光电性能 ZnO film RF magnetron sputtering annealing treatment sputtering power photoelectric property
