通过生物信息学对过敏性紫癜(HSP)的差异表达miRNA进行分析, 探索其调控的基因、生物过程及代谢通路, 进而预测治疗HSP的潜在中药组方。运用GEO数据库对原始数据集GSE80401进行差异分析, 筛选出差异表达的miRNA, 通过miRwalk、TargetScan、miRDB数据库预测靶基因, 基于Metascape数据库进行基因本体(GO)和pathway富集分析, 利用Cytoscape软件进行关键靶点筛选。最后将关键靶点与Coremine Medical数据库相互映射, 筛选治疗HSP的潜在中药组方。基于GSE样本数据预测的靶基因共有83个, 关键基因为hsa-miR-3945, GO富集分析结果涉及对脂多糖的反应、对无机物的反应、凋亡信号通路、对细胞外刺激的反应等生物过程, KEGG富集结果涉及IL-17信号通路、TNF信号通路、Th17细胞分化通路、NF-κB信号通路等。中药预测发现桂枝、茯苓、赤芍、桃仁、牡丹皮可作为潜在药物来治疗HSP。显著性差异基因和潜在核心靶点的分析研究促进了对HSP发病机制的进一步理解和探索, 为中医药治疗HSP提供了新的方向和临床依据。

研究了耦合广义非均匀非线性薛定谔-麦克斯韦-布洛赫方程所描述的非均匀掺铒光纤系统中不同非线性局域波的色散与非线性管理问题.利用相似变换求解非均匀非线性薛定谔-麦克斯韦-布洛赫方程, 得到一个非自治的通解形式.该解在非均匀掺铒光纤系统中包含了众多的非线性局域波结构.从非线性局域波的复现与相移非线性局域波考虑, 在色散与非线性管理系统下分析了呼吸子和多峰孤子的动力学特性.结果表明在非均匀掺铒光纤系统中存在新的非线性局域波结构, 并且在色散与非线性管理系统下非线性局域波的结构呈现多样性, 这对实际的光纤通信理论有参考意义.

对工作波长为1310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层(SCH)外延层的掩埋异质结构(BH)和脊波导结构(RWG)进行了建模仿真。计算结果表明: 非对称SCH结构较对称SCH结构, 可明显提高激光输出功率；相比于RWG结构, BH结构对载流子有更好的限制作用, 从而降低相对强度噪声(RIN)。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA, 斜率效率为0.36W/A, 边模抑制比为50dB, 在1~30GHz范围内, 激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。

为探索八角茴香的杀虫活性及其作用机理, 采用密闭容器熏蒸法测定八角茴香干果的甲醇、乙酸乙酯、石油醚3种溶剂提取物对长角扁谷盗成虫的杀虫活性, 及其对试虫体内乙酰胆碱酯酶(AChE)和谷胱甘肽-S-转移酶(GSTs)活性的影响。结果表明: 3种提取物对试虫均有较强的熏杀活性, 熏杀效果随着处理剂量的提高和处理时间的延长而增强, 熏蒸72 h后, 20.0 mg/L甲醇、乙酸乙酯、石油醚提取物对试虫的校正死亡率分别为89.93%、96.71%和91.56%, LD50分别为7.16、4.57、5.42 mg/L, 以乙酸乙酯提取物的熏杀效果最好。3种提取物对试虫体内的AChE、GSTs活性均表现出明显的剂量效应和较强的时间效应, 随着处理剂量的升高, 对2种酶活力多数表现为抑制作用增强, 而低剂量(1.25 mg/L)的甲醇提取物对AChE具有一定的诱导作用; 乙酸乙酯、石油醚提取物在48 h而甲醇提取物在60 h对AChE、GSTs活性抑制作用最强; 3种溶剂提取物对AChE、GSTs活性的抑制作用大小均表现为乙酸乙酯>石油醚>甲醇。提取物对酶活性的抑制作用与熏杀效果整体呈正相关, 说明AChE、GSTs活性下降可能是造成试虫死亡的重要原因之一。因此, 八角茴香具有潜在的杀虫应用研究价值。

本文利用相对论有效原子实势(RECP)和密度泛函(B3PW91)的方法对ScH+和ScH2+分子离子的结构进行了优化,得到了它们的平衡几何构型和谐振频率.采用最小二乘法拟合出ScH+分子离子的Murrell-Sorbie势能函数,在此基础上,推导出光谱数据和力常数,并通过多体展式理论导出ScH2+分子离子的势能函数,其等值势能面图准确地再现了ScH<,2<+分子离子的结构特征和离解能,由此讨论了反映势能面的静态特征,并利用杂化轨道理论解释了ScH2+分子离子的结构.

设计并制作了条宽100μm,腔长1 mm的有源区无铝高功率SCH-SQW激光器,室温连续输出功率达1 W,阈值电流密度为460A/cm2,外微分量子效率为0.68 W/A,激射波长为849 nm(腔面未镀膜).

用改进的液相外延方法(LPE)生长了无铝的InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱半导体激光器，测量其远场分布近似为高斯分布。用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型，并简单解释了其生成原因，为改善光束质量提供了参考。

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法成功地研制了具有两对梯度折射率(GRIN)异质结结构的InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器。该激光器的波长为970～982nm,室温连续工作阈值电流密度为140A/cm2,工作在0.9A时单面连续输出光功率为520mW,工作在2.0A时,连续输出光功率为1.49W,最高功率可达2.4W。微分量子效率高达0.83W/A。

利用一种改进的液相外延技术进行了GaAs衬底上InGaAsO材料的生长,10 K温度下光荧光半宽度(FWHM)为14 MeV,获得了阈值电流密度为300 A/cm2的SCH多层结构外延片,宽台面激光器最大连续输出功率达到2.1 W。

介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造。在(100)GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波长K=808 nm,阈值电流密度J=300 A/cm2,对于条宽w=100 μm的激光器,连续功率为1～2 W。对制成的激光器,进行连续1000 h的实际寿命试验,并讨论了对寿命的影响因素。