利用高真空磁控溅射技术, 通过高纯Mg靶和自制Mg-Bi-Sn合金靶的顺序溅射沉积, 制备了Mg3Bi2/Mg2Sn纳米复合薄膜。沉积薄膜的晶体结构和相组成由X射线衍射(XRD)图谱确定, 表面形貌和化学成分用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能谱仪(EDS)进行观察、测量和分析。沉积薄膜的载流子浓度和迁移率通过霍尔实验获得, 电导率和Seebeck系数由Seebeck/电阻测试分析系统进行测量。结果表明, 沉积薄膜由Mg3Bi2和Mg2Sn两相组成, 随着薄膜中Mg2Sn含量的增加, 沉积薄膜的室温载流子浓度增加而迁移率下降。在整个测试温度范围内, 随薄膜中Mg2Sn含量的增加, 薄膜Seebeck系数不断升高而电导率下降。Mg2Sn相原子含量为28.22%的沉积薄膜在155 ℃获得最高功率因子为1.2 mW·m-1·K-2。在Mg3Bi2薄膜中加入适量的Mg2Sn第二相, 可明显提升Mg3Bi2薄膜材料的功率因子。

采用固相反应法制备了四方相结构的SnO2靶材，选用蓝宝石衬底，利用脉冲激光沉积法在不同温度下生长了一系列SnO2薄膜。X射线衍射测试结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，并且沿a轴近外延生长。另外，在倾斜衬底上生长的SnO2薄膜上观察到了激光感生电压(LIV)效应，并研究了衬底温度对SnO2薄膜中LIV效应的影响。结果表明，随着生长温度从500 ℃增加到800 ℃，SnO2薄膜中的LIV信号的峰值电压先增加后减小，响应时间随衬底温度的升高先降低后增加，此外，存在一个最佳的衬底温度，使得SnO2薄膜的LIV信号的峰值电压达到最大，响应时间达到最小。在生长温度为750 ℃的SnO2薄膜中探测到响应最快的LIV信号，在紫外脉冲激光辐照下，峰值电压约为4 V，响应时间为98 ns，信号的上升沿为28 ns，与激光的脉宽相当。

测量了La1-xSrxMnO3(LSMO), La1-xPbxMnO3(LPMO)和La1-xSrxCoO3(LSCO)三种薄膜在不同激光波长下的激光感生热电电压(LITV)。利用脉冲激光沉积(PLD), 在LaAlO3倾斜衬底上制备了钙钛矿结构的三种薄膜, 并用电脑采集系统和锁相斩波系统对激光感生热电电压信号进行测量。发现不同波长下信号的灵敏度和响应时间各不相同, 激光波长为532 nm和632.8 nm时LSMO灵敏度最大而LSCO最小, 但响应时间恰好相反。波长为808 nm时LPMO灵敏度最好。