1 吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室，吉林 长春 130118
2 吉林建筑大学 电气与计算机学院，吉林 长春 130118
为了提高薄膜晶体管的性能，本文基于射频磁控溅射技术，采用氧化锌锡（ZTO）材料作为沟道层，在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试，利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响，探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明，所有ZTO薄膜样品是非晶结构，表面致密，透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好，其饱和迁移率达到了15.61 cm2/（V·s），亚阈值摆幅为0.30 V/decade，阈值电压为-5.06 V，电流开关比为8.92×109。
薄膜晶体管 溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜 thin-film transistor sputtering power XPS analysis ZTO thin film
电子科技大学 光电科学与工程学院,成都 610054
为研究磁控溅射的衬底温度、氧氩比、沉积时间和工作气体流量对混合相VOx薄膜电学性能的影响,采用正交实验法,设计了4因素4水平16组实验,实施实验并记录样品电阻温度系数（TCR）和方阻值,分析薄膜电学性能随不同因素不同水平的变化趋势;然后,结合均值和方差分析以及XPS分析,得到不同因素影响混合相VOx薄膜电学性能程度的大小依次为：工作气体流量,衬底温度,氧氩比,沉积时间。最后,得出制备混合相VOx薄膜的优选参数：溅射电流0.3 A,衬底温度270 ℃,氧氩比2.8%,沉积时间20 min,工作气体流量120 cm3/min,测试结果显示,其TCR为-2.65%/K,方阻为1 102.1 kΩ/□。
磁控溅射 正交实验 XPS分析 优选参数 VOx VOx magnetron sputtering orthogonal experiment XPS optimal parameter
1 国防科学技术大学 光电科学与工程学院, 湖南 长沙 410073
2 高能激光技术湖南省重点实验室, 湖南 长沙 410073
3 中航工业成都飞机设计研究所, 四川 成都 610091
针对铝合金基材设计了ZrO2陶瓷涂层, 采用976 nm连续波激光对样品的抗激光性能进行了测试。基材厚度为2.5 mm, 涂层厚度为0.3 mm, 实验测试时样品前表面加载了0.3 Ma切向空气流。记录了辐照区域后表面测点的温度变化情况, 测量了未辐照区与辐照区的反射率谱, 并进行了XPS成分分析。结果表明: 平均功率密度700 W/cm2的激光辐照60 s样品没有熔化; 辐照区域颜色变白, 对近红外光的反射率变大。颜色变白的原因可能是涂层表面沾染的含碳化合物在激光辐照过程中被热解或气化, 这与XPS检测结果相一致。
抗激光性能 ZrO2陶瓷涂层 反射率谱 XPS分析 切向气流 anti-laser performance ZrO2 ceramic coating reflectance spectrum XPS analysis 红外与激光工程
2017, 46(6): 0606002
1 昆明理工大学机电工程学院， 云南 昆明650093
2 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室， 黑龙江 哈尔滨150001
用等离子体浸没离子注入与沉积（PIIID）复合强化新技术在AISI52100轴承钢基体表面成功合成了硬而耐磨的氮化钛薄膜。 膜层表面的化学组成和相结构分别用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）表征； 膜层表面的原子力显微镜（AFM）形貌显示出TiN膜结晶完整， 结构致密均匀。 XRD测试结果表明， TiN在（200）晶面衍射峰最强， 具有择优取向。 Ti（2p）的XPS谱峰泰勒拟合分析揭示出， Ti（2p1/2）峰和Ti2p3/2峰均有双峰出现， 表明氮化物中的Ti至少存在不同的化学状态； N（1s）的XPS谱峰在396.51, 397.22和399.01 eV附近出现了三个分峰， 分别对应于TiNxOy， TiN和N—N键中的氮原子。 结合O（1s）的XPS结果， 证实膜层中除生成有稳定的TiN相外， 还有少量钛的氧化物和未参与反应的单质氮。 整个膜层是由TiN， TiO2， Ti—O—N化合物和少量单质氮组成的复合体系。
XPS分析 等离子体浸没离子注入与沉积（PIIID） 氮化钛薄膜 轴承钢 XPS analysis PIIID Titanium nitride (TiN) film Bearing steel 光谱学与光谱分析
2009, 29(9): 2585
教育部辐射物理及技术重点实验室,四川大学原子核科学技术研究所,成都,610064
对离子束混合技术在不锈钢基体上沉积的W膜进行了H+辐照前后的XPS分析,研究了H+辐照对W的结合能的影响.分析结果表明,沉积的W膜中除了单质钨外,还有部分钨的氧化物,H+辐照结果表明,H+的辐照使钨的结合能向低能方向偏移;钨的氧化物有所减少,说明污染的氧化物在一定程度上被择优溅射掉.
离子束混合 W薄膜 H+辐照 XPS分析 Ion beam mixing Tungsten films H + ion irradiation XPS
