1 中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060
2 重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332
3 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析, 将环形栅LDMOS器件分为两个部分, 一个是中间的条形栅MOS部分, 使用常规的高压MOS模型; 另一个是端头部分, 为一个圆环形栅极MOS器件, 采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明, 建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能, 对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度, 并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。
环形栅 宏模型 BCD工艺 annular gate LDMOS LDMOS macro model BCD process
