建立FOS-μSIA-LOV光谱在线过程分析, 实现自动化含量测定头孢拉定(RAD)。 通过程序编写, 元件智能控制, 优化实验条件, 考察了RAD中的辅料, 载液, 进样体积等因素。 优选条件为: 载液吸入体积为500 μL; RAD吸入体积为100 μL; 打出体积的流速为150 μL·s-1, RAD质量浓度c与ΔF的线性关系为ΔF=812.6c+284（0.05～0.5mg·mL-1, r=0.999 5）, RSD为4.4%, 回收率为101%～103%。 通过FOS-μSIA-LOV系统和设定特定检测程序, 实现自动化在线过程分析, 具有重现性好、 节约试剂、 省时省力的优点。

目的:观察脉冲Nd:YAG激光照射体外单层培养KB细胞后的形态改变及损伤后HSP70, c-Fos的表达情况,初步探讨较强脉冲激光对细胞的损伤效应及损伤修复机制.方法:建立单层培养细胞的脉冲Nd:YAG激光损伤模型,每个脉冲能量密度为160 J/cm2～186 J/cm2或220 J/cm2～257 J/cm2,分别于照后即刻、2 h和6 h,用台盼蓝染色、TUNEL检测分析该激光对KB细胞的损伤特点,免疫组化法检测HSP70, c-Fos的表达水平.结果:当照射剂量为220 J/cm2～257J/cm2时,照后即刻,光斑中央细胞形态严重破坏,直接坏死;周围细胞形态未发生明显改变.2 h后周围细胞TUNEL着色也增强,呈强阳性.照后6 h光斑中央及周围细胞着色均减弱.TUNEL着色区直径随时间先扩大后缩小.当照射剂量为160 J/cm2～186 J/cm2时,细胞内HSP70、c-Fos表达随时间先显著增强,而后减弱至正常.结论:脉冲Nd:YAG激光在所选剂量下,可以引起单层KB细胞的损伤,包括即刻坏死、延迟性死亡及可逆性损伤.HSP70、c-Fos的高表达说明它们在保护受损细胞、修复激光所致损伤中发挥重要作用.

以电流变材料制作的结构构型及特性可随外界因素而变, 当具备一定的感知功能后即成为智能结构。 光纤传感器具有抗电磁干扰、 高灵敏度、 高频响、 可挠曲铺设等特点, 故成为传感系统的首选技术。