超导电缆相比于传统电缆具有导体无电阻损耗、传输容量大、可靠性高等优势，但作为其主绝缘的聚丙烯层压纸因具有较高的损耗因数导致超导电缆运行中的介质损耗大，增大冷却系统的负荷。采用具有低损耗因数的聚四氟乙烯滤纸取代聚丙烯层压纸中的牛皮纸层，通过热压法与聚丙烯膜形成具有两侧多孔可浸润液氮的三明治结构复合绝缘，测试结果表明超导电缆中以聚四氟乙烯/聚丙烯复合材料取代聚丙烯层压纸作为主绝缘，将使介质损耗降低一半以上。同时，由于聚四氟乙烯/聚丙烯复合材料与高温超导电缆中作为冷却剂的液氮间更小的介电常数差异以及液氮击穿的体积效应，采用具有更小孔径的聚四氟乙烯滤纸制成的低介损复合绝缘具有更强的抗局部放电的能力和更高的交流绝缘击穿强度，可极大提升高温超导电缆的绝缘可靠性。

吸波材料是指能吸收或者大幅减弱其表面接收到的电磁波能量，从而减少电磁波干扰的一类材料。近年来对吸波材料的探索中出现各种高熵陶瓷吸波材料，通过热力学的高熵效应、结构的晶格畸变效应、动力学的迟滞扩散效应以及组元的协同增效作用，获得高熵陶瓷材料的吸波性能优于单组元的吸波性能。基于近年来的研究成果，本文归纳总结了不同种类高熵吸波陶瓷的组元设计、制备与吸波性能关系的相关研究结果，分析了高熵效应对吸波性能的影响规律，最后，总结了目前研究工作中存在的关键科学难题与挑战，并展望了高熵吸波陶瓷的未来前景和发展方向。

冷烧结(CSP)工艺是近年来新兴的一种高效、节能的材料方法。本工作采用CSP工艺，制备出致密度不低于97%的(1-x)BNT-xNN电介质陶瓷。研究了CSP工艺和NaNbO3含量对(1-x)BNT-xNN复相陶瓷的密度、相结构、显微形貌和介电性能的影响。结果表明：CSP工艺由于烧结温度低、保温时间短，可以显著降低晶粒尺寸，有效抑制Bi、Na等元素挥发，从而提高介电常数，降低介电损耗。随着NaNbO3含量的增加，(1-x)BNT-xNN复相陶瓷的剩余极化强度显著降低，并且介电常数的温度稳定性显著提升。当x=0.3时，0.7BNT-0.3NN陶瓷样品在25 ℃至400 ℃宽温范围内介电常数的变化率小于±6%，介电损耗小于5%，这表明CSP技术制备的(1-x)BNT-xNN陶瓷有望应用于温度稳定性陶瓷电容器。

由于在-55~150 ℃存在正交-四方和四方-立方相变, 相变对应的尖锐介电峰使BaTiO3陶瓷介电性能难以满足X8R温度稳定性要求。本文采用50 nm的纳米BaTiO3粉体和少量堇青石(MgO-Al2O3-SiO2, MAS)玻璃, 制备了满足X8R介电温度特性的BaTiO3基细晶陶瓷。结果表明, 随着MAS玻璃的加入, BaTiO3基陶瓷的室温晶体结构从四方相转变成赝立方相, 平均晶粒尺寸从纯BaTiO3陶瓷的1.904 μm显著降低到添加0.5%(质量分数)MAS玻璃的BaTiO3基陶瓷的183 nm。与此同时, BaTiO3基陶瓷虽然介电常数有所下降, 但是介电损耗和介电性能的温度稳定性大幅度改善。其中添加0.5%MAS玻璃的BaTiO3基细晶陶瓷介电性能为: 在1 kHz时室温介电常数为984, 介电损耗为0.006 5, 满足X8R温度特性要求。

以高熵合金的研究为背景，将构型熵稳定单相的概念引入无机非金属材料，而逐步发展出一种新的陶瓷材料体系——高熵陶瓷。高熵陶瓷的优点是成分和结构的多样性，这使得其有潜能成为广泛应用的功能材料。本工作采用简单易行的固相烧结法合成了具有尖晶石结构和钙钛矿结构的高熵复相陶瓷，并进一步研究了其物相组成、显微结构、元素含量及价态、和电磁波吸收性能，探究了高熵复相陶瓷的吸波性能随烧结温度的变化规律。结果表明：高熵复相陶瓷可成功制备成型，通过高熵效应能够烧结出2种晶体结构(尖晶石结构和钙钛矿结构)。在1 300 ℃的烧结温度下，存在最大的介电常数，在频率范围为X波段8.2~12.4 GHz时，具备最佳的电磁波吸收性能。

近年来液晶在微波通信器件上的研究发展迅速, 而液晶材料的介电损耗成为制约其发展的主要因素。异硫氰三联苯类化合物是一种结构稳定的低粘度、高双折射率液晶化合物, 适于作为微波用液晶材料组分。本文通过偶联法合成了4种含氟三联苯异硫氰酸酯液晶化合物nPGUS(n=2~5), 通过IR、1H NMR、13C NMR、19F NMR确认化合物结构正确; 差热分析(DSC)结果显示, 它们都具有宽温向列相液晶态和相对较低的熔点, 其中5PGUS的向列相温度范围达到101.8 ℃, 熔点只有57.4 ℃; 通过矩形谐振腔微扰法测试分析了它们在高频下的介电性能, 将它们与母体液晶混合后, 在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.95, 最大介电损耗为(tanδεr-max)0.007 63, 相位调制系数(τ)0.265, 可满足微波用向列相液晶材料性能要求。

近年来基于液晶材料的微波通信器件研究发展迅速, 液晶材料的介电损耗成为制约微波器件发展的瓶颈, 然而目前对微波用液晶材料性能报道较少。本文以低熔点高双折射侧位含氟苯乙炔类液晶作为研究对象, 将其按一定比例掺杂到母体液晶MA中, 采用矩形谐振腔微扰法测试所选液晶化合物在微波频段(10 ~30 GHz)下的介电性能, 探讨分子结构对微波频段液晶介电性能的影响作用。实验结果表明: 在高频时的液晶介电各向异性与分子极性和双折射率相关, 侧位含氟苯乙炔类和端基异硫氰基苯乙炔类液晶化合物均具有较大的介电各向异性(Δεr > 0.85); 对于具有较高双折射率的对称含氟三苯二炔类和三苯乙炔异硫氰基类液晶化合物表现出较低的介电损耗(tanδεr⊥< 8.0×10-3, 18 GHz), 而异硫氰基的含氟二苯乙炔类和不对称含氟三苯二炔类液晶化合物则表现出较高的介电损耗(tanδεr⊥> 8.0×10-3, 18 GHz)。

该文以PZT-5H为代表的d33模式压电换能器为研究对象, 推导实际开路输出电压与荷载频率的关系, 并分析考虑了介质损耗影响的必要性。通过设计验证性试验, 并采用有限元模拟法, 分别在不同换能器结构(单片和多片堆栈)、不同荷载幅值、不同加载频率条件下验证预测值与试验值的吻合程度。结果表明, 压电陶瓷实际开路输出电压在低频荷载条件下随荷载频率的增大呈非线性增长, 而在高频荷载条件下随荷载频率增长缓慢, 理论公式预测值与试验值吻合良好。该文推导的压电陶瓷开路输出电压公式可用于实际压电陶瓷开路输出电压的预测分析。

核壳结构的碳材料具有优异的吸波性能，但是在陶瓷基体中难以分散均匀。本研究通过化学气相沉积法在氮化铝陶瓷基体中引入磁性纳米洋葱碳，制备 了FeNi@CNOs/AlN复合材料，研究了其相组成、微观形貌和吸波性能。结果表明，1100 K下基于Al粉与C粉，FeNi催化剂的存在可原位生成FeNi@CNOs/AlN复合 材料；10wt%FeNi@CNOs/AlN复合材料在8.29~15.32 GHz范围内，其RL值均低于-10 dB，在13.2 GHz处达到最大值为-23 dB。

广色域TFT-LCD产品需要使用高颜料浓度的RGB色阻, 光照状态下易于发生发绿不良, 严重影响TFT-LCD显示器件的视觉效果。通过研究不同成分的色阻制成的TFT-LCD与光电测试样板在光照前后的发绿情况以及光电特性变化, 确定TFT-LCD光致发绿不良源于绿色色阻中含有的金属酞箐类G颜料, 且不良程度与绿色色阻中G颜料含量强关联。此类颜料具有共轭结构与半导体特性, 光照状态下发生电子迁移, 导致介质损耗因数升高, 影响TFT-LCD的耦合电场, 进而导致RGB像素亮度的差异化, 形成光致发绿不良。依托方法: (1)在保证TFT-LCD样品色度规格的前提下, 通过广色域G颜料以降低绿色色阻中的G颜料含量; (2)使用高敏感度的光起始剂, 可以有效改善TFT-LCD产品的光致发绿不良, 尤其方法(1)更为有效。本文建立TFT-LCD显色核心的彩色滤光片RGB色阻成分管理基准, 同时搭建光致发绿不良的生产线与实验室评价体系, 为后续色阻材料开发提供理论指导。