1 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室，杭州 311200
2 浙江大学硅材料国家重点实验室，材料科学与工程学院，杭州 310027
3 杭州乾晶半导体有限公司，杭州 311200
4 浙江机电职业技术学院，杭州 310053
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响，基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况，推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明，磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率，材料去除速率越高，晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性，4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高，磨料分散均匀，水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度；乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小，磨料易发生团聚，增大研磨过程的磨料切入深度，晶片的材料去除速率提高，晶片最大划痕深度随之增大。
4H碳化硅 研磨 金刚石磨料 分散介质 材料去除速率 面型参数 4H-SiC lapping diamond abrasive dispersion medium material removal rate surface parameter
1 湖南城市学院 信息与电子工程学院 全固态储能材料与器件湖南省重点实验室，湖南 益阳 413000
2 湖南大学 物理与微电子科学学院 微纳光电器件教育部重点实验室，湖南 长沙 410082
结合分步傅里叶方法和四阶Runge-Kutta积分法，研究了有限能量cosh-Airy脉冲在双零色散介质中的超连续谱产生与操控。首先，详细讨论了特征参数截断系数a、初始啁啾C和分布因子χ0对cosh-Airy脉冲在双零色散介质中的演化影响，并统计了a、C和χ0对超连续谱宽度的影响。然后，进一步研究了高阶非线性效应对cosh-Airy脉冲产生超连续谱的影响。结果表明：通过操控cosh-Airy脉冲的特征参数可以控制超连续谱的宽度；当存在高阶非线性效应时，超连续谱的平坦性会受到影响。研究结果为超连续谱的产生和操控以及宽带激光光源提供一些理论基础。
cosh-Airy脉冲 双零色散介质 超连续谱 操控 cosh-Airy pulse double-zero dispersion medium supercontinuum manipulation 红外与激光工程
2022, 51(7): 20210618
