研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一，对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响，基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况，推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明，磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率，材料去除速率越高，晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性，4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高，磨料分散均匀，水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度；乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小，磨料易发生团聚，增大研磨过程的磨料切入深度，晶片的材料去除速率提高，晶片最大划痕深度随之增大。

鉴于当前光学抛物面面形参数计算模型的复杂性, 为解决直接基于抛物面的有限元分析数据, 获取高精度抛物面面形参数的计算问题, 提出了一种新的光学抛物面形参数计算方法。首先, 提出了光学抛物面有限元离散误差的概念, 并对其消除技术进行了研究, 这也是高精度算法的关键数据处理环节; 其次, 采用刚体位移数据处理算法分离了抛物面面形的刚体位移与面形畸变位移; 最后, 采用最优化设计算法获取了抛物面面形均方根等参数计算所需的基础数据。在对抛物面面形参数计算方法研究的基础上, 讨论了其算法实现, 并对算法程序的正确性进行了校验。校验结果表明: 高精度抛物面面形参数计算方法计算精度高, 算法校验误差在6%左右, 该算法精度能够满足工程需求; 为外部热力载荷作用下, 光学面形参数的高精度计算提供了新的技术参考。