南昌航空大学 材料科学与工程学院, 南昌 330063
光催化被广泛用于去除水中的难降解有机污染物, 但是由于光生电子和空穴的复合率高, 抑制了半导体光催化剂的催化活性。本研究通过简便的溶剂热法成功制备了一种BiOBr/ZnMoO4复合材料。通过结构分析、原位XPS、功函数测试、自由基捕获及电子顺磁共振(ESR)实验等证实了BiOBr/ZnMoO4复合材料形成了S型异质结。实验结果表明, 适当ZnMoO4含量的BiOBr/ZnMoO4异质结可以显著提高BiOBr的光催化性能。与纯BiOBr、ZnMoO4相比, 质量分数15% BiOBr/ZnMoO4在可见光下表现出最佳的光催化活性, 双酚A的光催化降解率达到85.3% (90 min), 环丙沙星的光降解速率常数分别是BiOBr的2.6倍和ZnMoO4的484倍。这可归因于BiOBr和ZnMoO4之间形成了紧密的界面结合和S型异质结, 使得光生载流子可以实现有效的空间分离和转移。这项工作为定向合成Bi基S型异质结复合光催化材料提供了一种简便有效的方法, 对进一步理解Bi基多元异质结光催化材料的构效关系提供了新的理论和实验基础。
S型异质结 内建电场 BiOBr ZnMoO4 光催化 S-scheme heterojunction internal electric field BiOBr ZnMoO4 photocatalysis
陆军工程大学 电磁环境效应与光电工程国家级重点实验室, 南京 210007
利用基于有限积分法的电磁场仿真软件CST仿真和分析了金属挡板对大型平行线栅有界波模拟器内部可用测试区和外部辐射电场分布的影响。首先建立了平行线栅有界波模拟器仿真模型，并依据GJB 8848证明了其合理性；而后重点分析了金属板对模拟器内部可用测试区电场分布的影响，并通过详实的数据列出了金属板位置、厚度、高度和长度等参数的具体作用效果；然后讨论了金属板对模拟器外部辐射电场的屏蔽效果；最后结合仿真结果提出金属挡板的设置应尽可能地远离模拟器，且有效反射面积越小越好，而对厚度无特别要求。
高空核电磁脉冲 平行线栅有界波模拟器 内部电场分布 可用测试区 外部辐射场 屏蔽效果 HEMP parallel wire-grid bounded-wave simulator internal electric field distribution available test volume external radiation field shielding effectiveness 强激光与粒子束
2018, 30(7): 073204
福州大学 电气工程与自动化学院, 福建 福州 350116
基于Pockels效应的光学电压传感器(Optical Voltage Transducer, OVT), 运行中不可避免地存在震动、元器件连接的老化与热胀冷缩等问题, 导致光学器件的相互位置产生偏移, 进而影响电光晶体的内电场分布。文中以基于会聚偏光干涉原理的110 kV纵向调制的OVT为例, 进行了仿真分析与实验研究, 发现当入射光发生±0.5°的偏移或电光晶体发生±1°的偏移时, 分别引入约0.107%和0.124%的电场积分误差。由于OVT 必须满足0.2%的准确度要求, 上述影响不容忽视。为此提出了介质包裹法, 将Al2O3陶瓷包裹在电光晶体外部, 使电场积分误差分别降低至0.001%和0.003%。实验与应用的情况表明, 介质包裹法简单、实用、有效。
光学电压传感器 Pockels效应 内电场分布 电场积分误差 optical voltage transducer (OVT) Pockels effect internal electric field distribution error of electric field integral 红外与激光工程
2017, 46(7): 0722004
合肥鑫晟光电科技有限公司，安徽 合肥 230012
影像残留是TFT-LCD，特别是TN型产品常见的不良，对产品良率影响很大。本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析。发现产品设计时Data线两侧段差过大，是导致残影发生的主要原因，通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影，实验得出配向膜膜厚高于110 nm，摩擦强度高于5.5 N·m时无残影发生。通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5 h，摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h，并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场，从而降低残影。通过以上措施，对于15.6HD产品，良率提升了10%，为企业高效生产奠定基础。
残影 扭曲向列型 配向弱区 内部电场 image-retention twisted nematic alignment weak area internal electric field
1 内蒙古农业大学基础课部,内蒙古,呼和浩特,010018
2 内蒙古大学理工学院物理系,内蒙古,呼和浩特,010021
3 内蒙古师范大学物理系,内蒙古,呼和浩特,010022
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAIN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.
光电子学 量子阱 内建电场 激发态极化 静压 optoelectronics quantum well build-in internal electric field the polarization of excited state hydrostatic pressure
