电离辐射会导致动物肠道的损伤，瓜氨酸在小肠上皮细胞内合成，同时被证明对肠道具有一定的保护作用。通过构建小鼠急性辐射致肠道损伤模型，设置正常对照组、单纯辐照组以及辐照加瓜氨酸组，研究瓜氨酸的辐射防护作用及机制。实验结果表明：在辐照后连续一周腹腔注射1 g?kg^-1?d^-1的瓜氨酸能够显著延长受照小鼠中位生存期，增加小鼠体重，显著降低小鼠血浆内毒素含量，提高黏着斑激酶（Focal Adhesion Kinase，FAK）和肠道紧密连接（Occludin）蛋白的表达水平，同时降低一氧化氮（Nitric Oxide，NO）和诱导型一氧化氮合酶（inducible Nitric Oxide Synthase，iNOS）的表达量。本实验证明：瓜氨酸可以通过改善受照小鼠肠道屏障完整性，改善肠道屏障功能，缓解亚硝化应激，对电离辐射小鼠肠道损伤具有保护作用。

该文介绍了声光可调滤光器器件及器件中的关键材料——声光介质氧化碲晶体与换能器铌酸锂晶体的辐照特性。辐照实验采用中子辐照(中子注量1.5×1012 n/cm2@1MEV等效电子)和电离辐照(总剂量6×103 Gy(Si))。采用高分辨X线衍射(HRXRD)分析了氧化碲与铌酸锂晶体，分析显示辐照前后两种晶体的X线衍射峰无变化，表明它们的晶格常数无变化，但其摇摆曲线变宽，表明它们吸收的辐照能量使晶体内部应力增大。采用阻抗分析仪测试了辐照前后铌酸锂的机电耦合系数，测试表明辐照使机电耦合系数降低了约1%。采用1 064 nm等4种波长的激光测试了声光可调滤光器器件的滤光功能和衍射效率，测试表明滤光功能正常，辐照使衍射效率下降了约2%。因此，辐照对声光可调滤光器影响较小，适合辐照条件下的深空探测。

光敏晶体管是空间飞行器光电编码器中的重要组成部分, 对空间高能质子引起的位移损伤效应较为敏感。文章通过试验获得了光敏管的核心参数输出电流与质子能量、位移损伤剂量、工作状态、屏蔽材料的关系。在50、60、70、92 MeV四种能量的质子辐照下, 器件输出电流及光电转换效率最大下降80%。晶体管内部光敏二极管初始光电流的下降和晶体管电流增益的下降共同作用造成了输出电流随位移损伤剂量的增加不断衰减。不锈钢和三明治屏蔽结构对60 MeV能量质子几乎没有遮挡效果。通过提高输入光照强度, 增大初始光电流, 可以降低位移损伤效应的影响。另外, 采用PIN型光电二极管, 增大耗尽区面积, 也是可行的加固方法之一。

为满足航天电子系统对高速高精度16位A/D转换器的需求, 设计了一种流水线型16位80 MSPS A/D转换器, 内核采用“3+4+3+3+3+3+3”七级流水线, 前端缓冲器用于减小第一级MDAC采样网络回踢信号对A/D转换器线性度的影响。采用环栅器件、N+/P+双环版图等设计加固技术。A/D转换器采用018 μm CMOS工艺, 工作电源电压为33 V和18 V, 在时钟输入频率为80 MHz和模拟输入频率为361 MHz时, ADC的功耗≤11 W、信噪比SNR≥738 dB、无杂散动态范围SFDR≥88 dBFS。电离总剂量150 krad(Si)辐照后, ADC的信噪比SNR变化量≤03 dB、无杂散动态范围SFDR变化量≤1 dB; Bi离子辐照下ADC的电流增加≤4 mA。

为得到卫星搭载的高速跨阻运算放大器在星载环境中长时间工作后的性能变化情况, 对3款增益带宽积大于1GHz的高速跨阻放大器芯片关键特征参数的电离总剂量损伤特性及变化规律进行了试验研究。辐照试验在60Co γ射线源上采用高温加速评估的方法完成, 辐照到放大器芯片上的剂量率为0.3~0.5Gy(Si)/s。分析了放大器芯片输出偏置、输出噪声和带宽等关键电参数在辐照前后及高温(85℃±6℃)退火前后的特性, 讨论了引起电参数变化的机理。结果表明, 经过两轮150Gy(Si)剂量辐照及高温退火后, 放大器芯片的输出偏置和输出噪声水平无明显变化, 时域脉冲响应正常, -3dB带宽减小了3%左右。带宽为3款高速跨阻放大器芯片的辐射敏感参数, 其变化与电离辐射在SiO2/Si界面引起正电荷建立和界面态直接相关。辐照后的芯片仍然能够满足高带宽测试情况下的需求, 150Gy(Si)为电参数和功能合格的累积剂量。

低剂量电离辐射引发的生物效应复杂而多样, 其研究往往又受到辐射标志物和检测技术手段的限制。 将拉曼光谱技术应用于低剂量辐射生物效应研究, 利用10 mW, 532 nm共聚焦拉曼光谱对经过100, 200和500 mGy三种辐射剂量的X射线辐照之后的人神经母细胞瘤细胞进行检测, 发现细胞嘌呤核苷酸(722～728和1 572～1 581 cm-1等等)、 嘧啶核苷酸(770～785 cm-1等等)等DNA相关的拉曼特征峰受到电离辐射影响而发生变化, 说明低剂量X射线辐照造成细胞DNA水平改变。 采用流式细胞术对同样条件辐照后培养6 h的人神经母细胞瘤细胞进行细胞周期分析发现, 三种剂量的X射线电离辐射均造成细胞在G2期阻滞, 同样提示电离辐射引起DNA水平升高。 通过划痕实验分析辐照后20 h的细胞迁移能力, 结果显示, 相较于未接受X射线照射的对照细胞, 受到三种剂量电离辐射的人神经母细胞瘤细胞均出现迁移水平下降。 研究结果表明, 通过拉曼光谱分析发现低剂量X射线电离辐射引起人神经母细胞瘤细胞DNA水平变化, 其结果与细胞周期分析和迁移分析的结果相一致, 但检测时间大大提前, 利用拉曼光谱技术可以实现低剂量辐射损伤等细胞生物学效应的早期发现与监测。

通过60Co γ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移; 鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因。