氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注，为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力，明确其辐射效应退化机制，针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）器件开展不同偏置（开态、关态和零偏置）条件下的γ射线辐照与不同温度的退火试验，分析器件电学性能同偏置条件和退火环境之间的响应规律。结果表明：随着γ射线辐照剂量的增加，器件阈值电压负漂，跨导峰值、饱和漏电流和反向栅泄漏电流逐渐增加，且在开态偏置条件下器件的电学特性退化更加严重；此外，高温环境下退火会导致器件的电学性能恢复更加明显。分析认为γ射线辐照剂量越高，产生的辐照缺陷越多，同时栅极偏压会降低辐照引发的电子-空穴对的初始复合率，逃脱初始复合的空穴数量增多，进一步增加了缺陷电荷的浓度；而高温环境会导致器件发生隧穿退火或热激发退火，有助于器件性能恢复。氮化镓功率器件的辐照损伤过程及机理研究，为其空间环境应用的评估验证提供了数据支撑。

针对功能丰富、大规模集成微处理器总剂量效应的测试需要，研制了一种可扩展式的在线测试系统。测试系统由主控制电路、可扩展信号采集电路、被测样品接口、上位机及配套软件组成，提供了功耗电流、片内存储、通信、时钟、模数/数模转换、直接存储访问等多种参数测量或功能校验方法。利用测试系统对16个特征尺寸40 nm的微处理器开展了⁶⁰Co源辐照实验，所有样品在吸收剂量达到（377.44±20.34）Gy（Si）后出现了数字通信中断、功耗电流突然下降、模数/数模输出异常等现象。综合所有12项测量或校验结果，推断该微处理器的总剂量失效模式很可能是部分内核指令无法执行而导致的功能失效，同时也说明在线原位测试系统能够为总剂量失效模式分析提供更多、更直接的数据信息。