1 中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北石家庄 050051
2 固态微波器件与电路全国重点实验室, 河北石家庄 050051
介绍了一款基于 GaAs肖特基二极管单片工艺的 220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率, 倍频器采用多阳极结构, 8个二极管在波导呈镜像对称排列, 形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题, 提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试, 测试结果显示: 倍频器在 204~ 234 GHz频率范围内, 转化效率大于 15%; 226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为 90.5 mW, 转换效率为 22.6%。设计的 220 GHz倍频器输出功率高, 转化效率高, 工作带宽大。
倍频器 太赫兹 肖特基二极管 结电容 单片 frequency doubler tearhertz Schottky barrier diode junction capacitance Microwave Monolithic Integrated Circuit 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): 1080
为了实现高灵敏度探测，红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构，并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明，随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大，器件的暗电流逐渐减小，结电容逐渐增大。当台阶宽度变窄时，器件的暗电流随之减小，结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响。在低光强下，器件的结电容基本不变；当光强增大到1 W/cm2时，器件的结电容迅速增大。器件的结电容随频率的升高而减小，其峰值由缺陷能级引起。
近红外光电探测器 暗电流 结电容 near-infrared photodetector InP/InGaAs InP/InGaAs dark current junction capacitance
1 中国工程物理研究院 a.电子工程研究所
2 b.微系统与太赫兹研究中心，四川 绵阳 621999
肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点，常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1 μm的二极管，并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试，二极管的串联电阻为10.2 Ω，零偏结电容为1.76 fF，肖特基结截止频率达到了8.7 THz；相同管子的射频测试串联电阻为15.4 Ω，零偏结电容1.46 fF，肖特基结截止频率也达到了7 THz。
太赫兹 肖特基势垒二极管 串联电阻 零偏结电容 截止频率 terahertz Schottky Barrier Diodes series resistance junction capacitance cut-off frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(5): 679
