1 中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北石家庄 050051
2 固态微波器件与电路全国重点实验室, 河北石家庄 050051
介绍了一款基于 GaAs肖特基二极管单片工艺的 220 GHz倍频器的设计过程以及测试结果。为提高输出功率, 倍频器采用多阳极结构, 8个二极管在波导呈镜像对称排列, 形成平衡式倍频器结构。采用差异式结电容设计解决了多阳极结构端口散射参数不一致问题, 提高了倍频器的转换效率和工作带宽。对设计的倍频器进行流片、装配和测试, 测试结果显示: 倍频器在 204~ 234 GHz频率范围内, 转化效率大于 15%; 226 GHz峰值频率下实现最大输出功率为 90.5 mW, 转换效率为 22.6%。设计的 220 GHz倍频器输出功率高, 转化效率高, 工作带宽大。
倍频器 太赫兹 肖特基二极管 结电容 单片 frequency doubler tearhertz Schottky barrier diode junction capacitance Microwave Monolithic Integrated Circuit 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): 1080
强激光与粒子束
2019, 31(12): 123004
中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北 石家庄 050051
采用 SiC衬底 0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺, 研制了一款 S波段 GaN单片微波集成电路 (MMIC)Doherty功率放大器, 在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率, 可用于小型基站。为减小芯片尺寸, 采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线; 在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构, 而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度。脉冲测试表明, 在 3~3.2 GHz频率范围内, 饱和输出功率大于 10 W, 在回退 6 dB处的功率附加效率 (PAE)为 38%, 芯片尺寸为 4.0 mm×2.4 mm。
氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 Doherty功放 GaN High Electron Mobility Transistor Microwave Monolithic Integrated Circuit Doherty PA 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(2): 363
1 杭州电子科技大学,微电子CAD研究所,浙江,杭州,310018
2 香港科技大学,电子与计算机工程系,香港
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.
Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声 Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT microwave monolithic integrated circuit (MMIC) voltage-controlled oscillator(VCO) phase noise
