作者单位
摘要
1 东北大学冶金学院,沈阳 110819
2 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081
坩埚耐火材料对钛合金熔炼的质量非常重要,为开发高性能新型坩埚材料,以工业Y2O3和Al2O3-MgO-CaO系粉末(AMC)为原料,制备出Y2O3-Al2O3-MgO-CaO系复合耐火材料,研究了烧结温度(1 500 ℃、1 600 ℃)和AMC含量(0、25%、50%、75%和100%,质量分数)对所制备耐火材料的物相组成、烧结性能(线收缩率、体积收缩率、显气孔率、体积密度)、常温耐压强度、抗热震性能和显微结构的影响。结果表明:相对于Y2O3和AMC材料,复合材料的性能均有所提高;提高烧结温度,其性能更佳;且随着AMC含量的提高,复合材料的线收缩率、体积收缩率、体积密度和常温耐压强度随之增大,显气孔率降低;当AMC的质量含量为75%时,1 500 ℃烧结3 h制得复合材料的综合性能最优,其显气孔率为4.37%,常温耐压强度为274.99 MPa,3次水冷热震后残余强度为161.60 MPa,残余强度保持率为58.78%。
复合耐火材料 氧化钇 钙镁铝酸盐 烧结温度 原料配比 composite refractories yttrium oxide calcium magnesium aluminate sintering temperature raw material ratio 
硅酸盐学报
2023, 51(3): 628
作者单位
摘要
1 山东大学晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南 250100
2 齐鲁工业大学(山东省科学院),材料科学与工程学院,济南 250353
宽禁带氮化镓(GaN)材料以其独特的性质和应用前景成为国内外研究的热点,高质量GaN单晶衬底的制备是获得性能优异的光电子器件和功率器件的基础。钠助熔剂法生长条件温和,易获得高质量、大尺寸的GaN单晶,是一种具有广阔商业化前景的GaN单晶生长方法。钠助熔剂法自20世纪90年代末期被发明以来,经过20多年的发展,钠助熔剂法生长的晶体在尺寸与质量上都取得了长足的进步。本文从晶体生长原理和关键工艺(籽晶选择、温度梯度以及添加剂)等方面综述了钠助熔剂法生长GaN单晶研究进展,并对其面临的挑战和未来发展趋势进行了展望。
氮化镓单晶 钠助熔剂法 原料比 温度梯度 添加剂 籽晶 gallium nitride single crystal sodium flux method raw material ratio temperature gradient additive seed crystal 
人工晶体学报
2023, 52(2): 183

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