针对具备100~200nm薄吸收区的肖特基型探测器，研究了不同金属接触对其暗电流和光谱响应特性的影响。以GaN基材料为主体，在薄层Al0.42Ga0.58N表面分别制备Au和Ni/Au形成肖特基接触，在Al0.55Ga0.45N表面以Ti/Al/Ti/Au制备欧姆接触，从而制备薄吸收区的AlGaN肖特基日盲探测器。结果表明对AlGaN材料，Au肖特基型探测器的光响应良好，达到0.10A/W，外量子效率峰值为47%，但暗电流稍大，为3.91×10-10A/cm2。而Ni/Au肖特基型探测器的暗电流稳定，普遍在4.17×10-11A/cm2，而响应率一般，为0.07A/W，外量子效率为33%。测试结果与仿真模型基本一致，对正照式，受势垒高度和界面损耗层等因素影响，相较Ni/Au肖特基型探测器，Au肖特基型探测器的响应范围更大、响应率更高；对背照式，吸收层的厚度对响应范围有很大影响，薄吸收区有效展宽了响应区域。