1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室，上海 201800
2 中国科学院大学材料科学与光电工程中心，北京 100049
光刻投影物镜的畸变是影响光刻机套刻精度最重要的因素之一，畸变会导致物镜的横向放大率随视场的增大而变化，曝光到硅片上的图形相对于其理想位置发生偏移，从而引起套刻误差。在物镜的装调和使用过程中都需要对畸变进行检测和优化调整，而目前高端光刻投影物镜的畸变小于1 nm，对其进行高精度检测是该领域的难点。对三种常用的光刻机畸变检测技术（曝光检测、空间像检测和波前检测）的原理和特点进行了分析，并对其发展方向进行了展望。对于16~19 nm及16 nm以下的光刻节点，多通道检测技术是提高畸变检测精度与速度的重要发展方向。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922012
山东大学，新一代半导体材料研究院，晶体材料国家重点实验室，济南 250100
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况，通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描，从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较，晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来，且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小，可以分辨出三种不同类型的穿透型位错，其中黑点腐蚀坑对应螺位错，小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错，大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况，结果表明随着晶体生长，位错密度呈现逐渐降低的趋势，生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3，有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息，以指导SiC晶体生长工艺改进。
晶格畸变检测仪 位错 位错密度 KOH腐蚀 位错缺陷分布 4H-SiC 4H-SiC lattice distortion detector dislocation dislocation density KOH etch dislocation distribution
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027
畸变特性是光刻物镜的关键指标,目前少有报道,提出了一种大视场投影光刻物镜畸变测量原理,测量系统和测量数据的处理方法.利用该装置对研制的口径6英寸,分辨率3 μm的物镜进行了测量,得出该物镜在全视场的畸变值小于2.0 μm.
光刻 畸变检测 Lithography Technology Distortion Detect
