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相同关键词【背减薄】论文列表

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研究论文

InAs/ GaSb II类超晶格红外探测器背减薄技术研究

王晓乾胡雨农游聪娅李景峰 [ ... ]刘铭

作者单位

摘要

中国电子科技集团有限公司第十一研究所，北京100015

针对InAs/GaSb II类超晶格红外探测器开发高质量背减薄工艺，获得了高质量衬底表面，改善了超晶格红外探测器组件的成像品质。采用机械抛光和机械化学抛光相结合的工艺减薄衬底，其中机械抛光削减衬底大部分厚度，然后通过机械化学抛光去除机械损伤。机械化学抛光过程中，在压力、转速等不变的情况下，主要研究机械化学抛光液的pH值对衬底表面质量的影响。实验结果表明，当机械化学抛光液的pH值为94时，获得了高质量、低损伤的芯片衬底表面，并实现了最佳的探测器组件成像效果。

InAs/GaSb II类超晶格红外探测器背减薄 pH值 InSb/GaSb type-II superlattice infrared detector back thinning pH value

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红外

2023, 44(10): 0015

大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发

李海燕 ^*曹凌霞陈籽先黄婷程雨

作者单位

摘要

中国电子科技集团有限公司第十一研究所, 北京 100015

为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄, 介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除, 然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤, 最终实现了1280×1024元(25 m)大尺寸锑化铟混成芯片背减薄(材料表面的半峰宽值约为8.20～11.90 arcsec)。与传统磨削工艺相比, 该工艺对尺寸大、面型差的半导体芯片兼容性强, 解决了大尺寸芯片在传统磨削工艺中因面型带来的裂片率高、减薄厚度不均匀的问题。

锑化铟单点金刚石车削背减薄 InSb single-point diamond turning back-thinning

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红外

2023, 44(2): 8

表面钝化膜对BCMOS传感器电子敏感特性影响的实验研究

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乔凯 ^1,2王生凯 ^1,2程宏昌 ^1,2靳川 ^1,2[ ... ]任彬 ^1,2

作者单位

摘要

¹ 微光夜视技术重点实验室，陕西西安 710065

² 昆明物理研究所，云南昆明 650223

基于硅表面的薄膜钝化原理，开展了不同厚度的表面钝化膜对背减薄CMOS（Back-thinned CMOS，BCMOS）传感器电子敏感特性影响的实验研究。首先，对CMOS传感器进行背减薄处理后，对背减薄CMOS进行电子轰击测试，由测试结果可知，电子图像灰度随入射电子能量的变化呈现出线性关系。然后，采用电子束蒸镀法在BCMOS传感器表面镀制了不同厚度的氧化铝薄膜，并进行了电子轰击测试。研究发现，当表面氧化铝薄膜厚度为20 nm时，可以将BCMOS传感器的二次电子收集效率提高14.9%，通过表面薄膜钝化实现了电子敏感性的提升，同时，随着薄膜厚度的增加，BCMOS暗电流由1510 e^-/s/pix减小至678 e^-/s/pix。上述结果说明，氧化铝薄膜对BCMOS背减薄表面具有良好的钝化作用，可以提高BCMOS传感器的二次电子收集效率、降低暗电流，为将来高灵敏度EBCMOS器件的研制提供了技术支撑。