研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示，在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知，保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层，可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态，提升IGZO TFT器件的稳定性。

本文提出了一种采用铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器的新型补偿结构。它利用数据线关闭电源和驱动晶体管之间的控制晶体管, 以抑制编程期间的泄漏电流。在所提出的电路和传统电路之间进行电路性能的比较, 表明所提出的像素电路可以有效地补偿驱动晶体管的阈值电压偏移和迁移率变化。当VTH飘移2 V和μ增加30％时, IOLED误差率可以分别降低至小于5％和9％。此外, 由于使用同时驱动方法, 因此所需的最小编程时间可以被详细推导出来。所提出的像素电路的编程能力和机制已经通过FPGA平台和离散的场效应器件所证实。尽管所提出的像素电路具有非常简单的驱动结构, 但它能够提高补偿精度。

论述了IGZO TFT技术的背景、技术优势和应用。详细介绍了IGZO TFT的结构, 性能和生产工艺, 并对IGZO TFT生产线存在的问题和发展趋势做出了展望。