为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中, 发生的一种网点色斑缺陷, 应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析, 比较了TFT膜厚; 进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10 ℃试验、工艺ash、n+ 刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验。研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响。确定了Mura的发生源和影响因素, 结果发现Mura形成机理, 一为基板背部划伤, 二为接触和不接触电极区域的温差异, 三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部, 之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大。最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法, 消除了网点Mura, 并使得整体Mura发生率降为0.08%。

为了减少制造工艺的流程, 改进的 4-Mask工艺被广泛应用。但这个工艺仍存在一些问题, 如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9 h), 则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀。除了缩短上述间隔时间的方法外, 本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法, 很好地阻止了对Al的腐蚀, 对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。

通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响。研究结果表明：在一定范围内随着压力的不断增大，PR的刻蚀速率逐渐增大，同时刻蚀的均匀性也逐渐变好，H/V逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小，而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显，但刻蚀的均匀性逐渐变好，H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时，同时增加O2和SF6流量，PR灰化速率会先增加后减小，均匀性数值和H/V比值先减小后增大。