1 西安工业大学, 陕西 西安 710032
2 白俄罗斯国立信息与无线电大学, 白俄罗斯 明斯科 220013
主要研究采用离子束反应溅射(RIBS)制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氩氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系。研究结果表明：RIBS制备的SiO2薄膜在0.63 μm处折射率n= 1.48，消光系数小于10-5；随着沉积速率的增加，薄膜的折射率和消光系数随之变大，当沉积速率超过0.3 nm/s，即使是在纯氧环境溅射，折射率值也不低于1.5；通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型，化学计量比不超过1.8，且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系，因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时，会限制沉积速率的提高。
氧化硅 反应离子束溅射 光学常数 沉积速率 silicon oxide reactive ion-beam sputtering optical constant deposition rate
1 西安工业大学,陕西西安710032
2 白俄罗斯国立信息与无线电大学,白俄罗斯明斯科220013
比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性，并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率和混合工作气体Ar/O2中氧含量的依赖性关系。工作气体中O2含量大于15％时通过RMS法沉积的氧化硅薄膜在0.63μm波长折射率约为1.52～1.55，消光系数低于10-5。当O2含量在80％以上时RIBS方法沉积氧化硅薄膜的折射率n=1.52～1.6，消光系数低于10-5。用RMS沉积SiO2薄膜，当氧气量超过15％时发生反应模式，此时沉积速率下降近5倍。而用RIBS时，沉积速率并不依赖氧气在混合工作气体中的含量。
磁控反应溅射 离子束反应溅射 折射率 消光系数 reactive magnetron sputtering reactive ion-beam sputtering refractive index extinction coefficient
西安工业学院,光电工程学院,陕西,西安,710032
为了提高锗基底的透过率和膜层的机械强度,对锗基底上高性能的红外宽带减反射膜的设计与制备工艺进行了研究.介绍了红外宽带减反射膜的膜料选择、膜系设计以及采用离子束辅助沉积该膜系的过程.给出了用该方法制备的7～11.5 μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达99.5%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97.5%,膜层附着性能好,光机性能稳定.这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义.
红外减反射膜 离子束辅助沉积 锗基底 infrared antireflective film ion-beam assisted deposition（IBAD） germanium substrate
1 西安工业学院,光电工程学院,陕西,西安,710032
2 西安电子科技大学理学院,陕西,西安,710071
为了提高硒化锌基底的透过率以及膜层的机械强度,对硒化锌基底上高性能的红外宽带减反射膜的设计与制备工艺进行了研究.介绍了红外宽带减反射膜的膜料选择、膜系的设计以及采用离子束辅助沉积该膜系的过程,给出了用该方法制备的8～12μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达99%以上,在设计波段范围内平均透过率大于98%,膜层附着性能好,光机性能稳定.这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义.
红外增透膜 离子束辅助沉积 硒化锌 氟化钇 Infrared antireflection film Ion beam assisted deposition （IBAD） ZnSe Yttrium fluoride（ YF3）
研究了不同工艺参数条件下，电子束蒸发TiO2薄膜的光学特性。在正交实验的基础上，利用离子束辅助沉积技术，获得了影响TiO2薄膜折射率的主要因素．得到了TiO2薄膜的折射率随氧气分压的关系。对离子氧和分子氧两种情况下TiO2薄膜的折射率进行了比较．得到了TiO2薄膜的折射率与沉积速度的关系，并给出了TiO2薄膜的红外吸收光谱。
电子束蒸发 TiO2薄膜 折射率 红外吸收光谱 electron beam evaporation tianium dioxide thin film refractive index infrared absorption spectrum
