邹宇 1,2蒋文静 1,*欧文 1
作者单位
摘要
1 中国科学院微电子研究所,北京 100029
2 中国科学院大学,北京 100049
针对常用的MEMS红外光源是类灰体光源,存在发射光谱范围比较广的问题,提出一种基于表面等离子体的超表面结构,将其覆盖在MEMS光源上实现一种有选择性、高发射率的窄带光源。还提出了一种改进的集总等效电路模型,通过模型能够比较准确地计算出超表面中结构尺寸对光源中心频率、带宽以及发射率的影响,探究了该结构中各个尺寸的改变对光源性能的影响。本文提出的模型计算结果跟仿真结果吻合,使用该模型能够避免耗时的、复杂的数值优化过程。
红外物理 MEMS红外窄带光源 集总等效电路模型 超表面 选择性 高发射率 Infrared physics MEMS narrowband infrared light source Lumped equivalent circuit model Metasurface Selectivity High emissivity 
光子学报
2022, 51(1): 0151122
作者单位
摘要
北京遥感设备研究所,北京 100854
红外低背景探测技术主要应用在深空环境,系统灵敏度与自身背景辐射关系较大,如何有效抑制探测系统自身背景辐射一直是重点研究方向;识别一直是红外领域的研究热点,增加探测谱段是提高特征获取量的最有效方式。介绍了一种局部制冷分光的红外多波段探测技术,该技术采用探测器一体化设计思路,将折反结构光学系统局部集成到探测器内部随红外芯片一起制冷;再利用分光元件进行双路分光,实现双波段能力,如果结合叠层芯片可以有效拓展到多波段能力;通过光学自辐射仿真,比较不同光学结构形式下的自辐射结果,可以看出:该技术背景辐射降低至常温折反系统背景辐射1/4,理论灵敏度可以大幅度提高,该技术优势明显,潜力巨大。
低背景探测 灵敏度 背景辐射 红外多波段 制冷 low-background detection sensitivity background radiation infrared multi-band refrigeration 
红外与激光工程
2020, 49(5): 20190361
作者单位
摘要
1 北京遥感设备研究所,北京 100854
2 哈尔滨工业大学 空间光学工程研究中心,黑龙江 哈尔滨 150001
波前编码技术通过在光学系统光瞳位置加入特殊的相位掩模板,对目标信号光波进行编码调制,并在图像处理端对该编码信号进行解码而恢复原图像,由于被编码调制后的波前对离焦等像差的不敏感度扩大了十数倍,能显著扩大光学系统焦深。因此,波前编码技术能在编码与解码之间解决恶劣力热条件或多色制导体制对弹载红外探测系统带来的离焦和对准误差。文中基于波前编码扩大焦深基本原理,对一长长双色红外光学系统进行了10倍焦深扩大的波前编码像差钝化设计。集成样机后,进行了波前编码成像实验。以小孔点靶编码像作为PSF解码10倍离焦位置处的十字靶和四条靶图像,十字靶和四条靶解码图像清晰可辨,证明波前编码技术对于系统像差或离焦像差的抑制是有效的。最后,对波前编码成像效果进行了分析:解码图像的水波纹是由于空间采样PSF不足导致的,可提取不同视场位置PSF,使用空间变化解码算法实现条纹消除;由于解码图像会在放大信号的同时放大噪声,因此,解码算法需要进一步研究噪声抑制算法,以期满足弹载高能量、高信噪比应用的要求。
波前编码 焦深 红外探测 像差钝化 wavefront coding focus depth infrared detection aberration inactivation 
红外与激光工程
2020, 49(4): 0404001
黄建国 1,*邹淅 1赵迪 1欧文 2[ ... ]王向展 1
作者单位
摘要
1 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610000
2 科磊得数码光电科技有限公司, 广东 东莞 523000
针对带有常规的第一类反光杯的基板结构因受限于封装引线键合工艺而反光杯尺寸较小的情况, 通过光学理论分析了其存在反射光线不完全的问题, 提出在LED模组芯片间开设第二类反光结构的解决方案。并基于光学分析软件Tracepro的仿真研究, 验证了其有效性。在此基础上设计了新型包含两类反光杯的基板结构, 最高可使LED模组出光效率和中心光强与没有开反光杯的情况相比提升近23%和 38%。
LED模组基板 反光杯 反射率 出光效率 光强分布 substrate of LED module reflective cups reflectivity light extraction efficiency light intensity distribution 
半导体光电
2014, 35(5): 828
作者单位
摘要
1 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054
2 科磊得数码光电科技有限公司, 广东 东莞 523000
芯片阵列均匀排列的常规大功率LED模组因温度场叠加会导致中心温度过高、温度分布不均匀。在理论分析面热源温度分布函数及多热源相互影响的基础上提出了一种LED芯片外密内疏排列的模组设计方案, 并与ANSYS有限元仿真的结果进行了对比验证。当芯片按照优化后的对数和幂函数分布时芯片最高温度比常规均匀排列时均低约5℃, 芯片温度的方差降低约56%。外密内疏的非均匀芯片排列方案在基板较小、较薄时对散热效果的改善更好。
大功率LED模组 中心温度 温度分布均匀度 外密内疏 有限元仿真 highpower LED module core temperature uniformity of temperature distribution dense inside and sparse outside FEM 
半导体光电
2014, 35(4): 654
作者单位
摘要
中国科学院微电子所, 器件与集成技术重点实验室,北京100029
在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器, 比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性, 并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中, 红外吸收结构直接覆盖于二极管表面, 其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面, 使吸收结构能够达到80%, 大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时, 器件的灵敏度可达到 7.75×10-3V/K, 等效功率噪声(NETD)可减小至43mK(f/10.0).同时, ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高, 证明了此结构的可行性.
绝缘衬底上的硅 二极管 填充系数 红外焦平面 SOI diode fill-factor infrared focal plane arrays(IR FPA) 
红外与毫米波学报
2014, 33(3): 218
黄卓磊 1,*王玮冰 1,2蒋文静 1,2欧文 1,2[ ... ]陈大鹏 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029
2 江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心,江苏 无锡214135
使用红外探测器及读出电路, 研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器, 使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构, 使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.探测器的输出噪声为2μV.探测器的电压响应率为7894.7V/W, 黑体探测率D*为1.56×109cmHz1/2/W, 噪声等效温差为330mK, 响应时间为27 ms.
红外探测器 二极管 填充因子 吸收层 读出电路 infrared detector diode fill-factor absorber readout circuit 
红外与毫米波学报
2014, 33(1): 50
黄建国 1,*邹淅 1刘斌 1欧文 2[ ... ]王向展 1
作者单位
摘要
1 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610000
2 科磊得数码光电科技有限公司,广东 东莞 523000
为了研究LED模组的散热性能,对其基板的横向和纵向散热性能进行了对比研究。首先建立加快基板横向和纵向散热性能的有限元模型,即在基板上覆盖高导热层和基板内添加高热导率热沉结构。并运用有限元(FEM)分析方法对两种基板的散热效果以及基板和LED芯片温度分布的均匀性进行了对比分析。最后,对于基板上覆盖高导热层的结构,结合实际工艺和散热性能的考虑,进一步优化了高导热层的厚度。
功率型LED模组 散热基板 高导热层 有限元模型 highpower LED module heat dissipation substrate high thermal conductivity layer finite element model 
半导体光电
2013, 34(6): 983
作者单位
摘要
1 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室, 中北大学电子科学与技术系, 山西 太原 030051
2 江苏物联网研究发展中心, 江苏 无锡 214135
提出了一种与 CMOS工艺兼容、高响应率、低噪声的微机械热电堆红外探测器。该结构热电偶数目为两对, 材料为 P/N型多晶硅, 吸收层材料为 TiN。采用较少热电偶对的方式来降低噪声, 引入共振谐振腔结构来提高红外吸收率。阐述了探测器的基本工作原理, 通过仿真得到其重要的性能参数, 并给出了器件具体的工艺流程, 对器件尺寸进行了优化。理论上, 其响应率大于 1000 V/W, 探测率大于 2×108 cmHz1/2W-1, 噪声等效温差小于 20 mK, 时间常数小于 10 ms, 电阻值小于 20 kΩ。
热电堆 红外探测器 CMOS兼容 谐振腔 thermopile infrared detectors CMOS compatibility resonant Cavity TiN TiN 
红外技术
2012, 34(9): 535
作者单位
摘要
1 中国科学院微电子研究所,北京 100029
2 中北大学电子测试国家重点实验室, 山西 太原 030051
报道了一种与 CMOS工艺兼容的微机械热电堆红外探测器。提出了具有一对热电偶的两层悬浮结构,其占空因子达到 80%以上,并采用 P/N多晶硅作为热电偶材料,黑硅作为吸收层材料。给出了器件的工作原理,对性能优化与制作的工艺流程进行了分析,结合所选材料的基本参数,得到了优化后的结构尺寸。通过理论计算,可以获得响应率大于 1000 V/W,探测率大于 1×108 cmHz1/2W-1,时间常数小于 40 ms,噪声等效温差小于 30 mK的性能优良的热电堆红外探测器。该器件的吸收层位于结构中的顶层,金属布线位于底层,便于与后续电路集成。单元大小为 25 μm×25 μm,有利于制作非制冷红外焦平面阵列。
CMOS兼容性 热电堆 红外 黑硅 CMOS compatibility thermopile infrared MEMS MEMS black silicon 
红外技术
2012, 34(2): 89

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