对常压微波等离子体炬装置及H2S废气的处理进行了研究。介绍了一种具有特殊喷嘴结构的微波等离子体炬装置，模拟了不同喷嘴结构下谐振腔中微波电场的强度及分布，在此基础上，进行了H2S废气处理的实验研究。结果表明：采用新型喷嘴结构在喷嘴尖端产生的电场强度和分布更利于等离子体炬的激发，微波功率为500 W时，喷嘴尖端处的电场强度在1.5×106 V/m以上，远大于氩气的击穿电场强度，能有效地激发等离子体炬；当H2S气体与Ar气体流量比为10∶90，总流量为1000 mL/min，微波功率为1000 W时，H2S的转化率最大达91.32%；大气微波等离子体炬能有效地处理H2S废气。实验结果证明了模拟结果的正确性和装置的有效性。

发射光谱(OES)是对等离子体过程进行检测和诊断最常用的方法，利用等离子体发射光谱，在甲烷/H2/Ar 和丙酮/H2/Ar 两种碳源体系下，对热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜过程进行了等离子体原位在线测量，研究了两种碳源下等离子体内部各基团种类、强度的差异，以及气压对丙酮体系中各种基团的强度影响。结果表明，两种碳源下主要的基团种类基本相同，但基团谱线差异非常明显。丙酮体系中CH 谱线最尖锐，并且无H2谱线，Ha随气压的增加而减小，其他基团均在3.5 kPa 附近出现最大值；CH4 体系中Ha 谱线强度最大，出现H2 谱线；Ar 基团在两个体系中出现谱峰所对应波长不一样，其中在丙酮系统中为433.36 nm，在CH4体系中为794.8 nm。

利用大气微波等离子体射流(MPJ)技术对H2S气体进行了处理研究。考察了温度、微波功率、载气(Ar)流量及气源总流量对H2S分解效率的影响。实验结果表明，为了有利于H2S的处理，必须将温度控制在一定范围之内；随着微波功率和载气流量的增加，H2S分解率均是先增加后减小；随着气源总流量的增加，H2S分解率逐渐降低。当H2S与Ar气体流量比达到10∶90，总流量为1000 mL/min，微波功率为1000 W时，H2S的分解率达到最佳值91.32%。对处理后得到的固体物质进行拉曼(Raman)光谱和X射线衍射(XRD)分析，结果表明回收得到的固体物质为纯度极高的硫。

在2.45 GHz, 800 W微波等离子体化学气相沉积装置上, 利用发射光谱对CH4/H2等离子体进行在线诊断, 分析了等离子体中存在的基团, 研究了甲烷浓度对各基团浓度及基团的空间分布的影响。 结果表明: 等离子体中存在CH, Hα, Hβ, Hγ, C2 基团和Mo杂质原子, 随着甲烷浓度的升高, 各基团的发射光谱强度均有增加, 其中C2基团强度显著增加。 CH与Hα基团的发射光谱强度比值随甲烷浓度的增加变化不大, 而C2与Hα基团的发射光谱强度的比值随甲烷浓度的增加而显著增大。 另外, 甲烷浓度的增加使得等离子体中各基团在空间分布的均匀性变差。

介绍了一台低成本的常压微波等离子体炬设备，给出了该设备构造及喷嘴的设计思路，分析了各种气体的非磁化微波等离子体的击穿电场强度，数值求解了设备中矩形TE103谐振腔中的电磁场分布，应用高频电磁场模拟分析软件HFSS优化了喷嘴在波导中的具体位置,并对优化后喷嘴周围的电场分布进行了模拟。模拟结果表明：微波输入有效功率为500 W，喷嘴伸出矩形波导1 mm时，喷嘴尖端处的电场强度在1.2×106 V·m-1以上，远大于氩气的击穿电场强度，更易于等离子体炬的激发。实验结果证明了模拟结果的正确性和装置的有效性。

化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。

采用微波等离子(N+,15w,3min)溅射高山被孢霉T105,筛选到高产菌R254,该菌最高生物量29.3g/L,油脂11.5g/L,花生四烯酸4.20g/L,花生四烯酸产量是原出发菌株1.35倍.通过对突变株R245的代谢情况、继代稳定性以及脂肪酸组成分析,认为微波等离子溅射诱变育种是获得花生四烯酸高产菌株的有效方法.并采用补糖工艺可进一步提高其产量,花生四烯酸产量为7.43g/L,是未补糖时花生四烯酸产量的1.76倍,且为出发菌株花生四烯酸最高产量的2.40倍.