广东工业大学物理与光电工程学院, 广东 广州510006
采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+（x=0, 0.2, 0.6, 0.8, 1.0）配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。 X射线衍射（XRD）分析表明样品物相均为面心立方结构。 光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E—4A2跃迁所致, Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠, 两者间存在有效的能量传递。 余辉衰减曲线与热释光谱分析表明, 不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同, 是由于其中存在的陷阱能级深度不同, 且陷阱能级越深, 其余辉时间越长。
长余辉 陷阱能级 Long afterglow MgGa2O4 MgGa2O4 ZnGa2O4 ZnGa2O4 Cr3+ Cr3+ Traps
