高温固相法制备了(Ga1-xAlx)2O3∶Cr3+(x=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)系列荧光粉。 X射线衍射分析表明Al3+含量增加后, 物相依然保持β-Ga2O3的相。 此外随着Al离子含量的逐渐增加, 高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2O3晶格中。 激发光谱中258, 300, 410和550 nm左右的峰位分别对应基质Ga2O3的带与带的吸收跃迁、 电荷迁移带跃迁、 Cr3+的4A2→4T1以及4A2→4T2跃迁。 随着Al离子掺杂量的增加, 激发光谱峰位都呈现出不同程度的蓝移现象, 这分别是由于基质的带隙能量、 Cr3+与配体之间的电负性以及晶场强度增大所导致的。 在发射光谱中, 随着Al3+替代Ga3+, Cr3+的发光由宽带发射变为窄带发射, 这是由于Al3+的掺入改变了Cr3+周围的晶场, 从而Cr3+的红光发射由原来的4T2→4A2变为2E→4A2跃迁发射。 Al离子掺杂改善了样品的长余辉发光特性, 并且Al离子含量达到0.5时显示出较长时间的肉眼可见的近红外余辉发射。 热释发光曲线显示材料中具有合适的陷阱能级, 这也是材料产生长余辉发光的原因。

采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+（x=0, 0.2, 0.6, 0.8, 1.0）配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。 X射线衍射（XRD）分析表明样品物相均为面心立方结构。 光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E—4A2跃迁所致, Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠, 两者间存在有效的能量传递。 余辉衰减曲线与热释光谱分析表明, 不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同, 是由于其中存在的陷阱能级深度不同, 且陷阱能级越深, 其余辉时间越长。