高温固相法制备了(Ga1-xAlx)2O3∶Cr3+(x=0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)系列荧光粉。 X射线衍射分析表明Al3+含量增加后, 物相依然保持β-Ga2O3的相。 此外随着Al离子含量的逐渐增加, 高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2O3晶格中。 激发光谱中258, 300, 410和550 nm左右的峰位分别对应基质Ga2O3的带与带的吸收跃迁、 电荷迁移带跃迁、 Cr3+的4A2→4T1以及4A2→4T2跃迁。 随着Al离子掺杂量的增加, 激发光谱峰位都呈现出不同程度的蓝移现象, 这分别是由于基质的带隙能量、 Cr3+与配体之间的电负性以及晶场强度增大所导致的。 在发射光谱中, 随着Al3+替代Ga3+, Cr3+的发光由宽带发射变为窄带发射, 这是由于Al3+的掺入改变了Cr3+周围的晶场, 从而Cr3+的红光发射由原来的4T2→4A2变为2E→4A2跃迁发射。 Al离子掺杂改善了样品的长余辉发光特性, 并且Al离子含量达到0.5时显示出较长时间的肉眼可见的近红外余辉发射。 热释发光曲线显示材料中具有合适的陷阱能级, 这也是材料产生长余辉发光的原因。

采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+（x=0, 0.2, 0.6, 0.8, 1.0）配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。 X射线衍射（XRD）分析表明样品物相均为面心立方结构。 光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E—4A2跃迁所致, Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠, 两者间存在有效的能量传递。 余辉衰减曲线与热释光谱分析表明, 不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同, 是由于其中存在的陷阱能级深度不同, 且陷阱能级越深, 其余辉时间越长。

为了分析3种不同类型的商业太阳电池片,即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷,对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串联电阻、并联电阻、二极管理想因子、反向饱和电流等进行了表征和分析。对比分析了对太阳电池增加偏置白光前后的光谱响应(外量子效率EQE)曲线,然后采用光束诱导电流(LBIC)法和电流-电压(I-V)(暗,光照)法分别测试了太阳电池中形成漏电缺陷的面分布和太阳电池的电性能参数并借助于太阳电池的二极管等效模型拟合了 I-V 曲线。结合这3种分析测试方法,得出在铸造多晶硅、EGF太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界、位错以及材料中的杂质,而影响单晶硅太阳电池的却是存在于体内的金属杂质等。由于原材料中存在不同的少子复合中心,使最终多晶硅,EFG和单晶硅太阳电池的转换效率分别为10.5%,11.7%和15.7%。

采用高温固相反应法制备了Eu²⁺: CaAl₂O₄、(Eu²⁺,Nd³⁺): CaAl₂O₄, 等系列材料.测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线.分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用.并对其发光机理进行了深入地探讨.