1 天津工业大学纺织科学与工程学院 天津 300387
2 江苏大学材料科学与工程学院高分子材料研究学院 镇江 212013
本研究通过γ辐照与氮掺杂协同调控改性制备石墨炔，将二维石墨炔转变为一维管状结构并作为基底负载铁纳米粒子用于燃料电池阴极氧化还原反应（ORR）。运用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、等温氮气吸附和其他表征手段，对制备出的复合材料的表面形貌、元素组成、结晶结构、缺陷程度等进行了表征分析。在碱性溶液中，采用循环伏安测试、线性扫描伏安测试、电化学交流阻抗谱测试等电化学测试方法分析制备催化剂的ORR性能、动力学以及稳定性。结果表明：经γ射线辐照后，氮掺杂石墨单炔负载铁纳米粒子（NGY-Fe）催化剂具有更大的比表面积（411.3 m2/g）和多级孔结构，利于暴露出活性中心，O2渗透屏障也有所下降，NGY-Fe的ORR活性显著提高，尤其是在稳定性与耐甲醇性上远优于市售的商业Pt/C催化剂。
γ辐照 缺陷 催化 石墨单炔 掺杂 γ-ray irradiation Defects Catalysis Graphyne Dope 辐射研究与辐射工艺学报
2024, 42(1): 010201
1 六盘水师范学院化学与材料工程学院，六盘水 553004
2 贵州大学化学与化工学院，贵阳 550025
基于密度泛函理论，采用了Dmol3模块对几种不同元素(Fe、Ni、Cu、Zn、Pd和Si)掺杂MoS2所形成的单原子催化剂的性能进行了第一性原理计算。首先分析了掺杂元素与载体之间的结合强度，发现Fe、Ni和Si与MoS2具有良好的结合稳定性。另外，分析了几种X-MoS2对CO催化氧化的性能，计算比较了对CO和O2的吸附能，遵循顺序如下：Pd＜Cu＜Ni＜Fe＜Si。其中，Si-MoS2表现出了优异的催化性质，对O2的吸附能最大且明显高于CO。通过E-R机理分析表明，这将有利于O2在催化活性位点被高效活化，保证下一步CO氧化反应的进行。通过局域态密度分析，与CO相比，在费米能级附近Si和O2产生的相互作用明显更强，其对O2的吸附作用也更强。Si掺杂MoS2具有成为CO氧化反应催化剂的潜力。
掺杂 催化 第一性原理计算 MoS2 MoS2 dope CO CO catalysis first-principle calculation
东北石油大学秦皇岛校区 石化系, 河北 秦皇岛 066004
采用手性剂掺杂向列相混合液晶制备出具备类似胆甾相液晶温变显色性能的液晶混合物。通过控制向列相液晶中手性剂的添加量, 调节混合液晶的颜色, 制备出系列室温下呈颜色转变的液晶混合物。在此基础上, 探究3种不同添加剂对混合液晶显色性能的影响, 确定具备最佳温变显色性能的液晶混合物配方。以上述液晶混合物为芯材、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为壁材, 采用界面聚合法在不同反应条件下制备出一系列液晶微胶囊, 并确定最佳反应条件。结果表明: 最佳反应条件下, 制备的液晶微胶囊粒径范围在50~105 μm之间, 平均粒径在68.06 μm左右, 囊芯材料含量约占35%。液晶微胶囊呈规则球形, 粒径比较均匀, 具有良好的温变显色性能, 且热稳定性较高, 热分解温度达330 ℃以上。
向列相液晶 手性剂 掺杂 微胶囊 界面聚合 nematic liquid crystal chiral additives dope microcapsule interfacial polymerization
1 华南理工大学物理与光电学院 广东省光电工程技术研究开发中心, 广东 广州 510640
2 广州现代产业技术研究院, 广东 广州 511458
为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收, 制备低电压高功率的紫外LED, 研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺。利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜, 并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率, 分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长, 制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明: 掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV。在600 ℃退火后, 方块电阻降低6.2 Ω/□, 透过率在356 nm处达到90.8%。在120 mA注入电流下, 365 nm LED的电压降低0.3 V, 功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙, 改变紫光LED光电性能。
掺金属 薄膜带隙 紫外LED ITO ITO metal-dope film energy gap UV LED
1 华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心,物理与光电学院,广东 广州 510640
2 中山市华南理工大学现代产业技术研究院,广东 中山 528437
研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500 ℃和600 ℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14 mil×28 mil正装395 nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明：掺3 nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600 ℃退火后方块电阻最大降低6.2 Ω/□,透过率在395 nm处最大达91.2%。在120 mA注入电流下,395 nmLED电压降低0.5 V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。
导电薄膜 掺金属 退火 395 nm紫外LED 薄膜性能 conductive thin film metal-dope annealing 395 nm UV LED film performance
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺, 通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究, 发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅, 这有利于CCD输出均匀性的提高。对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比, 多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单, 工艺集成度更高。
离子注入 多晶硅掺杂 均匀性 CCD CCD implant poly-silicon dope uniformity
通过延时偏振反馈控制的方法研究了单环掺铒光纤激光器混沌的产生。通过适当地调节延迟时间、耦合系数以及偏振角，研究了单环掺铒光纤激光器系统的动力学特性，给出了混沌产生的方式及混沌态的参数区间，实现了单环掺铒光纤激光器混沌的产生。进而利用混沌信号驱动法研究单环掺铒光纤激光器的混沌同步。结果表明，在适当的驱动强度下，无论两个单环掺铒光纤激光器在被驱动前处于混沌态还是周期态，都可以达到混沌同步。并且利用关联系数分析了驱动强度和偏振角对混沌同步性能的影响。
非线性光学 混沌产生 混沌同步 掺铒光纤激光器 激光与光电子学进展
2015, 52(6): 061405
以喷涂伪装涂料和普通涂料的金属目标板作为研究对象，利用红外偏振成像系统获取目标的红外偏振图像，提 取并分析了图像中目标的偏振信息，并将这些信息与目标的红外强度信息进行了对比。试验结果表明，通过红外偏振成像方法可以有效地减弱伪装 涂料在红外波段的隐身能力。
伪装涂料 红外偏振 目标检测 camouflage dope infrared polarization target detection
空军航空大学， 吉林 长春 130022； 长春理工大学， 吉林 长春 130022
采用微乳液法制备了Fe掺杂ZnO纳米球材料(Zn1-xFexO,x=0.1)，利用XRD和TEM对制备样品的结构、形貌进行了表征。在室温下，测得材料宽化的吸收光谱。用325 nm的激光激发，测量了ZnO纳米球的光致发光光谱，低强度激发时观察到半峰全宽较窄、峰值波长为385 nm的紫光峰和半峰全宽较宽、峰值波长约625 nm的深能级发光峰；两峰的发光强度和峰位随着激发光功率密度的变化而变化，但变化规律不同。所合成材料的吸收和发光性质与Fe掺杂相关。
氧化锌 微乳液法 掺杂 光致发光 ZnO microemulsion route dope photoluminescence
内蒙古工业大学 理学院物理系， 内蒙古 呼和浩特010051
以Zener模型为基础，考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响，理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数，对GaAs∶TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到：n型半导体居里温度有一个极大值，而p型掺杂是单调的递增。
稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用 diluted magnetic semiconductor Curie temperature dope concentration anti-ferromagnetic exchange
