1 上海师范大学 数理学院，上海 200234
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
采用变激发功率红外光致发光（Photoluminescence，PL）光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb0.93Bi0.07/GaSb单量子阱（Single Quantum Well，SQW）及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化，发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低，相对下降幅度约为。进一步分析结果表明，发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。
红外光致发光 GaSbBi 发光效率 阱内δ掺杂 infrared photoluminescence GaSbBi emission efficiency in-well δ-doping
搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统，结合FTIR 光谱仪的步进扫描功能，在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光测试。测试结果表明，相对于常规的连续谱扫描，步进扫描的方式成功地抑制了背景辐射的影响，同时还显著提高了PL 谱信号的信噪比，在室温下获得了光滑的PL 谱曲线。
红外光致发光 傅里叶变换光谱 步进扫描 infrared photoluminescence Fourier transform infrared spectrum step scan
1 长春理工大学 理学院, 吉林 长春130021
2 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
Er3+掺杂的(ZnO)1-x-y(P2O5)x(B2O3)y玻璃具有优良的光学性质。沸水煮沸实验结果表明, 该类玻璃具有较高的环境稳定性。与(Er2O3)z(ZnO)1-x-z(P2O5)x-z 类玻璃相比, Er3+掺杂的该类玻璃在1.5 μm峰值位置的光谱半峰全宽超过110 nm, 而且具有较高的猝灭浓度。
近红外发光 Er3+ 掺杂 磷酸盐玻璃 near-infrared photoluminescence Er3+ doping phosphate glass
1 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
2 中国民航学院, 天津 300300
3 中国科学院西安光学精密机械研究所, 西安 710068
通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及France-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13 eV与1.04 eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300 eV和0.401 eV。
近红外光致发光 深能级 异质外延GaAs／Si薄膜
1 中国民航学院, 长春 130021
2 河北半导体研究所, 天津 300300
3 河北半导体研究所, 石家庄 050051
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
近红外光致发光 深能级 金属有机物化学气相沉积
