The AlGaN/GaN p–n junction has received extensive attention due to its capability of rapid photogenerated carrier separation in photodetection devices. The AlGaN/GaN heterojunction nanowires (NWs) have been especially endowed with new life for distinctive transport characteristics in the photoelectrochemical (PEC) detection field. A self-powered PEC ultraviolet photodetector (PEC UV PD) based on the p-AlGaN/n-GaN heterojunction NW is reported in this work. The n-GaN NW layer plays a crucial role as a current flow hub to regulate carrier transport, which mainly acts as a light absorber under 365 nm and carrier recombination layer under 255 nm illumination, which can effectively modulate photoresponsivity at different wavelengths. Furthermore, by designing the thicknesses of the NW layer, the photocurrent polarity reversal was successfully achieved in the constructed AlGaN/GaN NW PEC UV PD at two different light wavelengths. In addition, by combining with platinum decoration, the photoresponse performance could be further enhanced. Our work provides insight into transport mechanisms in the AlGaN/GaN NW PEC system, and offers a feasible and comprehensive strategy for further exploration of multifunctional optoelectronic devices.

硅异质结太阳能电池的制作过程中，所有工艺步骤都会影响其性能。通过扫描电镜、反射率、量子效率及少子寿命测试，逐步优化硅异质结太阳能电池的性能。结果表明，单晶硅片钝化的最佳锥体尺寸约为6~9 μm。利用高质量的本征氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜钝化硅片，获得了超过5 ms的少数载流子寿命。采用大带隙p型a-SiC_x：H薄膜替代p型a-Si：H薄膜作为发射层，提高电池在较短波长范围内的光响应。通过降低铟锡氧化物的自由载流子吸收，显著改善了长波长区域光响应。综合优化后硅异质结太阳能电池功率转换效率达到21.68%。

报导了在c-Al₂O₃衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS₂薄膜，并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92：1，在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移，说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外，通过拉曼和光致发光分布图，证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中，单层二硫化钼样品具有最强的光响应，达到3 mAW^-1。单层二硫化钼的变温光响应实验表明，在室温附近，温度升高会提高二硫化钼的光响应强度和响应时间。

金属-二维材料-金属是最常见的二维材料光探测器件的结构。由于结构简单、易于集成，该类器件受到最广泛的关注和研究。其自驱动光探测的模式具有很低的暗电流，有望成为高性能红外探测的新途径。然而金属-二维材料-金属的自驱动光探测存在两个瓶颈问题：（1）反对称的金属-二维材料结区引起的泛光照射下光响应的抵消；（2）二维材料有限光吸收导致的低响应率。文中介绍了利用等离激元纳米结构的非对称集成引入非对称的光耦合，从而打破泛光照射下二维材料与两端电极接触区域产生的光电流的对称性，实现净的自驱动光响应；同时利用等离激元纳米结构产生的局域强光场提高二维材料光吸收率和光响应率的一系列研究进展。在石墨烯等离激元纳米谐振腔复合结构中，实现两个电极附近的光响应对比度超过100倍，突破了对称光耦合导致的光响应抵消的难题。由于具有将入射光耦合成局域模式的优越能力，等离激元纳米谐振腔比亚波长金属光栅更有效地提高石墨烯响应率一个数量级以上。

采用热注入法制备空气稳定性良好的CsPbBrI₂量子点，以375 nm的脉冲激光作为激发光源研究其光致发光性能.通过旋涂的方式制备相应薄膜，将其作为光敏层应用到光探测器，并对器件的光电子性能和稳定性进行详细研究.结果表明：CsPbBrI₂量子点在635 nm附近有强烈的荧光效应，光谱发光峰较窄，半峰宽约为35 nm.CsPbBrI₂量子点禁带宽度为1.90 eV，制备的探测器光检测带宽从紫外光260 nm到红光650 nm，光响应度为0.26 A/W，高开/关比高达10⁴，上升/衰减时间为3.5 ms/3.5 ms.在25℃，湿度在25%~35%大气环境下存储60天，性能与初始值相比几乎没有变化.CsPbBrI₂量子点具有优异的稳定性、可制备高性能的宽带光检测和易于制造等优点，具备一定的应用前景.