1 西安电子科技大学 微电子学院, 陕西 西安 710071
2 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室, 北京 100083
3 中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区 导弹工程系, 河北 石家庄 050003
4 西北大学 光子学与光子技术研究所, 陕西 西安 710069
5 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
采用分子束外延设备(MBE), 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5 nm时, 获得了室温电子迁移率为20500 cm2/V·s, 面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品, 为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.
二维电子气 迁移率 高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE) 2DEG mobility high electron mobility transistor (HEMT) molecular beam epitaxy (MBE)
1 中国科学院物理研究所 清洁能源重点实验室,北京 100190
2 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室,北京新能源材料与器件重点实验室,北京 100190
3 中国空空导弹研究院,河南 洛阳 471009
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子, Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.
分子束外延(MBE) 铟砷锑 组分控制 molecular beam epitaxy(MBE) InAsSb composition control
1 中国人民武装警察部队学院 基础部, 河北 廊坊 065000
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部, 江苏 苏州 215123
利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果.
分子束外延(MBE) 异质外延 molecular beam epitaxy(MBE) GaAs/Ge GaAs/Ge heteroepitaxial growth
采用分子束外延在 3英寸 Ge(211）衬底上生长了 10 μm厚的 CdTe(211）B薄膜。CdTe表面镜面光亮，3英寸范围厚度平均值 9.72 μm，偏差 0.3 μm；薄膜晶体质量通过 X射线双晶迴摆曲线进行评价，FWHM平均值 80.23 arcsec，偏差 3.03 arcsec；EPD平均值为 4.5×106 cm－2。通过研究 CdTe薄膜厚度与 FWHM和 EPD的关系，得到 CdTe的理想厚度为 8～9 μm。
分子束外延(MBE） CdTe薄膜 半峰宽(FWHM） 腐蚀坑密度(EPD） MBE CdTe film FWHM EPD
