在室温下使用机械化学法，通过引入微量甲醇与油胺作为配体辅助合成，成功制备了CsPbBr3Cs4PbBr6 钙钛矿复合纳米晶(NCs)。对该纳米晶进行粉末X射线衍射(XRD)、元素含量分析(EDS)、紫外可见吸收光谱(UVVis)、光致发光(PL)光谱及透射电子显微镜(TEM)等测试。与未添加甲醇的样品相比，添加0.85 mL甲醇的样品发光强度提高了58%，量子产率(PLQY)从11%提高到55%，并且复合NCs中Cs4PbBr6的存在使得样品的室温稳定性得到改善。本实验证实了机械化学法制备过程中甲醇的引入可以调整复合物纳米晶的成分，从而显著提高产物的发光强度和稳定性，为室温合成发光纳米晶提供了新思路。

以六水合氯化铝和尿素为原料，甲醇为溶剂，在NH3气氛下通过湿化学法制备AlN粉体，并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和激光粒度仪对产物进行表征。结果表明：煅烧温度在900 ℃以上可获得六方AlN粉体；煅烧温度为1 000 ℃时获得的AlN粉体具有球形特征，粉体的平均晶粒尺寸为17.0 nm，平均粒径为159.5 nm。使用透射电子显微镜进一步表征了AlN粉体的微观结构。拉曼光谱结合能谱分析表明，存在于AlN粉体中的非晶杂质不是残留的含碳副产物，而是粉体表面水解产生的氢氧化铝。

本文利用溶液法制备了K2Ba［B4O5(OH)4］2·8H2O, 并将其进行热处理制备得到了KBaB5O9, 利用XRD、FT-IR、TG-DTA-DTG对样品进行了表征。分析研究了由K2Ba［B4O5(OH)4］2·8H2O热处理制备KBaB5O9过程中的物相变化过程, 其物相变化经历脱结晶水、脱羟基、重结晶、再分解、熔融再结晶5个阶段, 其中结晶水的脱失分两步进行。运用Kissinger法、Flynn-Wall-Ozawa法、atava-estk法对K2Ba［B4O5(OH)4］2·8H2O结晶水第二步脱失过程的动力学参数进行了计算, 可知K2Ba［B4O5(OH)4］2·8H2O结晶水第二步脱失过程的活化能Es为151.94 kJ/mol, 指前因子的对数值lg As为21.25 min-1, 机理函数G(α)=(1-2α/3)-(1-α)2/3(其中α为转化率)。

MAX相是一种兼具金属和陶瓷性能的新型三元层状过渡金属碳氮化物。传统合成MAX相的方法都有一定的局限性,如反应温度较高、合成时间过长、合成样品较少,且大部分无法直接一步制备所需MAX相。近些年来,采用熔盐法合成MAX相的报道越来越多,并且工艺持续改进。本文从传统熔盐法合成MAX相出发,分析并阐述了新熔盐法合成MAX相的研究进展。传统熔盐法利用较低熔点的熔盐作为反应溶剂,提高了反应效率; 熔盐屏蔽法以熔盐作为反应溶剂的同时还可防止氧化,使得反应可以在空气中进行; 路易斯酸盐法则是将熔盐作为反应原料来合成MAX新相; 熔盐电化学法以电脱氧的方式,将合成原料由纯金属改为金属氧化物,降低了生产成本。熔盐法所合成MAX相产物较传统方法所合成产物的产量及纯度更高,所需要的温度、能耗以及成本更低。因此,熔盐合成法是未来大批量合成MAX相以及MAX新相合成的一个重要方法。

利用湿化学方法制备合成ZnO量子点, 通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段, 探讨了合成条件对ZnO量子点光学性质的影响, 并优化出适用于构建白光LED器件的最佳合成条件。研究结果表明, 在反应温度为20 ℃、反应时间为3 h、前驱体Zn(OAc)2和LiOH反应浓度比为2∶1时获得的ZnO量子点较为稳定, 并在紫外光激发下发出明亮的黄绿色光。在此基础上, 以该ZnO量子点为有源层、p-GaN∶Mg基片为空穴注入层、非晶Al2O3薄膜为电子阻挡层构造了p-i-n型异质结LED, 在正向注入电流为5 mA时, 获得了来自于器件的白光发射, 其色坐标为(0.28,0.30), 色温为9 424 K。

在阳极和空穴传输层分别引入氧化镍纳米结构缓冲层, 制备了蓝色有机发光二极管, 对二极管的电学和光学特性进行了测试分析, 研究了采用电化学方法制备的氧化镍纳米结构对器件的影响。结果表明, 纳米结构氧化镍缓冲层能够有效地提高空穴-电子对的产生和复合效率, 它的引入带来了高效的空穴注入及发光层中的载流子平衡, 能有效提高有机发光二极管的电致发光特性。氧化镍缓冲层沉积时间为30 s的器件具有最高的亮度和电流效率, 分别为42 460 cd/m2和24 cd/A, 该器件的CIEx,y 色坐标为(0.212 9,0.325 2)。

采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法, 室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构, 再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构, 可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率, 用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌, 用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明: 影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度, 当深度越深, 最终形成的结构尺寸也越大; 纳米结构修正溶液重构时间越长, 所形成的倒金字塔结构尺寸越大, 反射率也变大; 经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加; 当倒金字塔边长为600 nm时综合效果最佳, 反射率为9.87%, 少子寿命为37.82 μs.

通过低温化学方法在多孔硅柱状阵列(NSPA)衬底上制备得到铕掺杂ZnO (ZnO∶Eu)纳米棒阵列结构。实验方法简单、条件温和, 有效地实现了ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移, 丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光。X射线衍射以及X射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中。室温荧光光谱测试结果表明: ZnO∶Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝-绿光的宽谱带发射, 其中发光中心位于~380 nm的紫外光源于ZnO的带边发射, 位于450~570 nm的蓝-绿光源于ZnO的本征缺陷发光, 而位于~615 nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构。同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析。

采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜，然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征，进而通过一种垂直测试结构，研究其紫外光电导特性的差异。结果表明：晶种对纳米线的生长起决定性作用，只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列，而在ITO膜上，ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快，且呈现良好的欧姆接触特性，但两种样品恢复时间都较长，分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。

采用湿化学法，以石墨粉为原料，脱氧胆酸钠为表面活性剂，水为溶剂，利用超声波分散技术制备石墨烯水溶液；利用台式匀胶机制得石墨烯薄膜，并通过紫外吸收光谱对石墨烯溶液和薄膜进行了表征。采用锁模光纤激光器对石墨烯的可饱和吸收特性进行了研究。结果表明，石墨烯溶液和薄膜均具有非线性可饱和吸收特性，且其可饱和吸收特性无波长选择特性。石墨烯成本远远低于作为锁模器件的半导体可饱和吸收镜(SESAM)，具有类可饱和吸收体无法比拟的优势。